Проведено численное моделирование пикосекундных диодных лавинных обострителей в режиме коммутации быстронарастающих высоковольтных импульсов субмикросекундной длительности. Показано, что максимальная длительность коммутируемого импульса ограничена физическими явлениями, связанными с переходом структуры в режим двойной лавинной инжекции, а не с восстановлением блокирующей способности диода вследствие дрейфового рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы, как это имеет место в низкочастотных силовых диодах. Двойная лавинная инжекция в принципе способна поддерживать структуру диодного обострителя в проводящем состоянии после переключения. Однако отрицательное дифференциальное сопротивление, имеющее место в этом режиме, влечет за собой неустойчивость однородного токораспределения и изотермическое шнурование тока. Ключевые слова: ударная ионизация, субнаносекундные переключатели, лавинная инжекция, токовые неустойчивости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.