Вышедшие номера
Краевая электролюминесценция в сильно легированных бором кремниевых p+-n-диодах малой площади: анализ модельных представлений
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

Проведен анализ экспериментальных результатов и модельных представлений краевой электролюминесценции двух опубликованных исследований сильно легированных бором кремниевых p+-n-диодов малой площади. В одном исследовании предполагалось, что краевая электролюминесценция образуется в p+-области, а в другом - в n-области диода. Доказано, что во втором случае действительно электролюминесценция возникала в n-области и была обусловлена в основном излучательной рекомбинацией свободных экситонов. Показано, что аналогичные модельные представления применимы и для другой работы. На основании нескольких независимых экспериментальных исследований (краевой фотолюминесценции и электролюминесценции, а также поглощения излучения свободными носителями заряда) доказано, что наблюдаемые в монокристаллическом кремнии при высоком уровне инжекции линейные или близкие к линейным зависимости интенсивности краевой люминесценции от интенсивности возбуждения обусловлены близкими к линейным зависимостями концентрации экситонов от концентрации свободных носителей заряда. Результаты работы могут позволить расширить возможности люминесцентных методов определения времен жизни носителей заряда на область высоких уровней инжекции.
  1. Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, Р.В. Кузьмин, А.М. Маляренко, В.А. Машков. ФТП, 46, 289 (2012)
  2. А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, Н.А. Соболев, В.Л. Суханов. ФТП, 40, 882 (2006)
  3. А.М. Емельянов. ФТП, 42, 1375 (2008)
  4. А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 30 (22), 75 (2004)
  5. А.М. Емельянов. Письма ЖТФ, 35 (6), 9 (2009)
  6. А.М. Емельянов. ФТП, 44, 1170 (2010)
  7. А.М. Емельянов. ФТП, 45, 823 (2011)
  8. W. Michaelis, M.H. Pilkuhn. Phys. Status Solidi, 36, 311 (1969)
  9. Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, L. Tsybeskov. J. Appl. Phys., 90, 2310 (2001)
  10. N.F. Sobolev, A.M. Emel`anov, E.I. Shek, V.I. Vdovin. Physica B: Condens. Matter, 340--342, 1031 (2003)
  11. W. Bludau, A. Onton, W. Heinke. J. Appl. Phys., 45, 1846 (1974)
  12. M.S. Tyagi, R. Van Overstraeten. Sol. St. Electron., 26, 577 (1983)
  13. T. Trupke, J. Zhao, A. Wong, R. Corkish, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 82, 2996 (2003)
  14. А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТТ, 46, 44 (2004)
  15. R.A. Bardos, T. Trupke, M.C. Schubert, T. Roth. Appl. Phys. Lett., 88, 053 504 (2006)
  16. M.D. Abbott, J.E. Cotter, F.W. Chen, T. Trupke, R.A. Bardos, K.C. Fisher. J. Appl. Phys., 100, 114 514 (2006)
  17. T. Trupke, R.A. Bardos, M.C. Schubert, W. Warta. Appl. Phys. Lett., 89, 044 107 (2006)
  18. Л.М. Блинов, Е. Бобров, В.С. Вавилов, Г.Н. Галкин. ФТТ, 9, 3221 (1967)
  19. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.