"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Аномальное краевое свечение ZnSe, сильно легированного кислородом

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48775.9136

Переводная версия: 10.1134/S1063782620010169

Морозова Н.К.¹, Мирошникова И.Н.

^1,2

¹Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия National Research University “Moscow Power Engineering Institute”, Moscow, Russia

National Research University “Moscow Power Engineering Institute”, Moscow, Russia

²Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: morozovank@mail.ru, MiroshnikovaIN@mpei.ru

Поступила в редакцию: 11 апреля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены особенности спектров излучения чистых CVD конденсатов ZnSe, выращенных при избытке селена и сильном легировании кислородом. Исследовано превалирующее в спектрах низкотемпературной катодолюминесценции ZnSe (O) аномальное краевое свечение 477(490) нм с целью выяснения его природы. Установлена связь этого свечения со стехиометрическим составом ZnSe и концентрацией растворенного кислорода. Получены данные, свидетельствующие о роли примеси меди. На основе теории антипересекающихся зон представлена зонная модель, объясняющая природу основных полос люминесценции ZnSe (O) и ZnSe (O, Cu) в прикраевой области спектра. Показано, что модель ZnSe (O) аналогична усиановленной ранее для ZnS (O) и CdS (O). Ключевые слова: самоактивированный, стехиометрический, точечные дефекты,изоэлектронные центры, комплексы.

М.Е. Агельманов, А.Д. Левит, Е.И. Панасюк. Неорг. матер., 22 (3), 387 (1991)
R. Triboulet, J.O. Ndap, A. Tromson-Carli, P. Lemasson, C. Morhain, G. Neu. J. Cryst. Growth, 159, 156 (1996)
G.D. Watkins. Bull. Amer. Phys. Soc., 15 (3), 290 (1970)
Д.Д. Недоогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства ZnSe (Кишинев, Штиинца, 1984)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Н.Д. Данилевич. Кислород в оптике соединений II-VI в свете теории антипересекающихся зон. (Saarbrucken, Germany, LAP, 2013)
Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35 (1), 25 (2001)
G.B. Stringfellow, R.H. Bube. Phys. Rev., 171 (3), 903 (1968)
Н.К. Морозова, Д.А. Мидерос, Е.М. Гаврищук, В.Г. Галстян. ФТП, 42 (2), 131 (2008)
В.В. Блинов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/56199
Н.К. Морозова, Е.М. Гаврищук, И.А. Каретников, В.В. Блинов, В.Г. Галстян, В.С. Зимогорский, Э.В. Яшина. Неорг. матер., 38 (6), 674 (2002)
Г.Г. Девятых, Е.М. Гаврищук, А.И. Даданов. Высокочистые вещества, N 2, 174 (1990)
В.И. Олешко. Автореф. докт. дис. (Томск, ТПУ, 2009)
Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.И. Олешко, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, 95 (3), 3 (2012)
Н.К. Морозова, И.Н. Мирошникова, В.Г. Галстян. ФТП, 53 (6), 793 (2019)
Н.К. Морозова, Н.Д. Данилевич, В.И. Олешко, С.С. Вильчинская. Изв. вузов. Электроника, 93 (1), 14 (2012)
Н.К. Морозова, Б.Н. Мирошников. ФТП, 52 (3), 296 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель