Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения
Переводная версия: 10.1134/S1063782620010091 
РФФИ, Нелинейно-оптические и генерационные свойства кристаллов ZnSe, легированных ионами Fe2+., 19-02-00294
РФФИ, Исследование возможности создания высокоэффективных лазеров ИК-диапазона (4-5 мкм) на основе кристаллов ZnSe, легированных железом, при формировании инверсной населенности в ионах активатора путем ударного возбуждения горячими электронами, 18-29-20048
Президиум РАН, Фотонные технологии в зондировании неоднородных сред и биообъектов, 5
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия 
Email: ilichev@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
На примере монокристаллов ZnSe : Fe2+ экспериментально и теоретически исследуется влияние средней мощности фемтосекундного лазерного излучения на среднюю мощность люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров при двухфотонном возбуждении электронной системы кристалла. Экспериментально показано, что средняя мощность люминесценции экситонов кристалла в исследованном диапазоне мощностей возбуждения пропорциональна 4-й степени средней мощности возбуждающего излучения. Средняя мощность люминесценции примесно-дефектных центров имеет квадратичный характер. Построена теория, объясняющая наблюдаемые экспериментально зависимости. Отмечается, что характер зависимости люминесценции кристалла от мощности накачки при двухфотонном возбуждении может быть использован для оценки степени загрязнения кристалла примесно-дефектными центрами. Ключевые слова: полупроводники, двухфотонное возбуждение люминесценции.
- S. Hell, E.H.K. Stelzer. Optics Commun., 93 (5-6), 277 (1992)
- J.W.M. Chona, M. Gu, C. Bullen, P. Mulvaney. Appl. Phys. Lett., 84 (22), 4472 (2004)
- В.П. Калинушкин, О.В. Уваров. ЖТФ, 86 (12), 119 (2016)
- V.P. Kalinushkin, O.V. Uvarov. JETP Lett., 104, 754 (2016)
- Е.М. Гаврищук, А.А. Гладилин, В.П. Данилов, В.Б. Иконников, Н.Н. Ильичев, В.П. Калинушкин, А.В. Рябова, М.И. Студеникин, Н.А. Тимофеева, О.В. Уваров, В.А. Чапнин. Неорг. матер., 52 (11), 1 (2016)
- А.А. Гладилин, Н.Н. Ильичев, В.П. Калинушкин, М.И. Студеникин, О.В. Уваров, В.А. Чапнин, В.В. Туморин, Г.Г. Новиков. ФТП, 53 (1), 5 (2019)
- S.B. Mirov, V.V. Fedorov, D.V. Martyshkin, I.S. Moskalev, M. Mirov, S. Vasilyev. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 21, 1 (2015)
- A.E. Dormidonov, K.N. Firsov, E.M. Gavrishchuk, V.B. Ikonnikov, S.Yu. Kazantsev, I.G. Kononov, T.V. Kotereva, D.V. Savin, N.A. Timofeeva. Appl. Phys. B, 122 (8), 211 (2016)
- С.Д. Великанов, Е.М. Гаврищук, Н.А. Зарецкий, А.В. Захряпа, В.Б. Иконников, С.Ю. Казанцев, И.Г. Кононов, А.А. Манешкин, Д.А. Маликовский, Е.В. Салтыков, К.Н. Фирсов, Р.С. Чуваткин, И.М. Юткин. Квант. электрон., 47 (4), 303 (2017)
- Р.А. Балтрамеюнас, А.А. Гладыщук, В.П. Грибковский, Э.П. Куокштис, Г.П. Яблонский. Квант. электрон., 8 (4), 898 (1981)
- А.М. Агальцов, В.С. Горелик, И.А. Рахматуллаев. ФТП, 31 (12), 1422 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
