Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
2Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
2Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland
Поступила в редакцию: 19 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
Исследована низкотемпературная люминесценция структур с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными ширинами квантовых ям и концентрациями марганца при плотностях мощности оптического возбуждения 104-106 Вт/см2. В результате насыщения нижайшего возбужденного состояния 4T1 3d-оболочки марганца становятся актуальными переходы в более высокие состояния, вследствие чего внутрицентровая люминесценция ионов Mn2+ деградирует при высоких уровнях возбуждения. Одновременно происходит зависящее от температуры насыщение основной полосы e1hh1 излучения экситонов квантовой ямы и появление полосы e2hh2. По мере усиления оптического возбуждения изменяется форма контура внутрицентровой люминесценции ионов Mn2+, что связано с более быстрым насыщением возбужденных состояний интерфейсных ионов. Для структур CdMnTe/CdMgTe установлено влияние ширины квантовых ям и концентрации марганца на распределение интенсивности излучения между экситонами квантовой ямы, экситонами барьера и 3d-оболочкой Mn2+.
- L.H. Bai, Z.H. Chen, F.Z. Wang, S.H. Huang et al. J. Luminesc, 119-- 120, 541 (2006)
- V.F. Agekyan, Phys. Status Solidi, 44, 2013 (2002)
- A. Bol, and A. Meijerink, Phys. Rev. B, 58, R15997 (1998)
- M. Nawrocki, Yu.G. Rubo, J.P. Lascaray, D. Coquillat. Phys. Rev. B, 52, R2241 (1995)
- K. Shibata, E. Nakayama, I. Souma, A. Murayama, Y. Oka, Phys. Status Solidi B, 229, 473 (2002)
- I.I. Reshina, S.V. Ivanov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin. Semicond. Sci. Technol., 23, 075 029 (2008)
- Park, T.C. Jones, S. Schon, W. Tong, M. Chaichimansur, B.K. Wagner, C.J. Summers. J. Cryst. Growth, 184-- 185, 1123 (1998)
- V.F. Agekyan, P.O. Holz, G. Karczewski, V.N. Kats, E.S. Moskalenko, A.Yu. Serov, N.G. Filisofov. Semiconductors, 45, 1301 (2011)
- V.F. Agekyan, I. Akai, N.G. Filosofov, T. Karasawa, G. Karzcewski, А.Yu. Serov, N.N. Vasil'ev. Phys. Status Solidi B, 244, 3265 (2007)
- X. Liu, U. Bindley, Y. Sasaki, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 91, 2859 (2002)
- W.T. Shih, W.C. Chiang, C.S. Yang, M.C. Kuo, W.C. Chou. J. Appl. Phys., 92, 2446 (2002)
- V.F. Akekyan, A.Yu. Serov. Phys. Status Solidi, 32, 1951 (1990)
- G. Mackh, W. Ossau, D.R. Yakovlev, A. Waag, T. Lits, G. Landwehr. Sol. St. Commun., 88, 199 (1993)
- J. Feldman, G. Peter, E.O. Gobel, P. Dawson, K. Moore, C. Foxson, R.J. Elliott. Phys. Rev. Lett., 59, 2337 (1987)
- L.C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Sol. St. Commun., 77, 641 (1991)
- Н. Jeong, I.-J. Lee, J.-C. Seo, M. Lee, D. Kim, S.-J. Park, S.-H. Park, U. Kim, Sol. St. Commun., 85, 111 (1993)
- V.F. Agekyan, Yu.A. Stepanov, I. Akai, T. Karasawa, L.E. Vorob'ev, D.A. Firsov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, Zeilmeyer, S. Shmidt, S. Hanna, E. Zibik. Semiconductors, 38, 565 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
