Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47286.8999

Переводная версия: 10.1134/S1063782619030047

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 16-02-00450-а

Байдусь Н.В.¹, Кукушкин В.А.

^2,3, Некоркин С.М.¹, Круглов А.В.^1,3, Реунов Д.Г.³

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute of Applied Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: vakuk@appl.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 15 октября 2018 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы свойства квантовых точек InGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной миграционно-стимулированной эпитаксии при пониженном давлении с применением субмонослойного осаждения. Длина волны их фотолюминесценции при 300 K находится в диапазоне 1.28-1.31 мкм, ею можно управлять путем изменения температуры роста и числа циклов осаждения квантовых точек. Максимальная поверхностная плотность квантовых точек 3·10¹⁰ см^-2. Выращены структуры с 1-3 слоями квантовых точек с толщинами спейсерных слоев между ними 5-12 нм и селективным легированием последних (а также покровных слоев) углеродом (акцептор). Установлено, что фотолюминесценция квантовых точек характеризуется повышенной степенью поляризации в ортогональном плоскости структуры направлении, что должно благоприятствовать их применению для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов в светоизлучающих диодах Шоттки.

С.А. Майер. Плазмоника: теория и приложения (М., Ижевск, R \& C Dynamics, 2011) гл. 2. [S.A. Maier. Plasmonics: Fundamentals and Applications (Springer Verlag, Berlin, 2007) chap. 2]
A. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 103 (8), 083548 (2008)
Н.В. Байдусь, В.А. Кукушкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин. ФТП, 50 (11), 1576 (2016)
D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73 (4), 520 (1998)
K.Y. Chuang, C.Y. Chen, T.E. Tzeng, J.Y. Feng, T.S. Lay. Physica E, 40 (6), 1882 (2008)
P. Ridha, L. Li, A. Fiore, G. Patriarche, M. Mexis, P.M. Smowton. Appl. Phys. Lett., 91 (19), 191123 (2007)
L.H. Li, M. Mexis, P. Ridha, M. Bozkurt, G. Patriarche, P.M. Smowton, P. Blood, P.M. Koenraad, A. Fiore. Appl. Phys. Lett., 95 (22), 221116 (2009)
M. Usman. J. Appl. Phys., 110 (9), 094512 (2011)
M. Usman, S. Heck, E. Clarke, P. Spencer, H. Ryu, R. Murray, G. Klimeck. J. Appl. Phys., 109 (10), 104510 (2011)
M. Usman, T. Inoue, Y. Harda, G. Klimeck, T. Kita. Phys. Rev. B, 84 (11), 115321 (2011)
Y. Ikeuchi, T. Inoue, M. Asada, Y. Harada, T. Kita, E. Taguchi, H. Yasuda. Appl. Phys. Express, 4 (6), 062001 (2011)
М.М. Соболев, И.М. Гаджиев, И.О. Бакшаев, В.Н. Неведомский, М.С. Буяло, Ю.М. Задиранов, Р.В. Золотарева, Е.Л. Портной. ФТП, 46 (1), 96 (2012)
P. Ridha, L. Li, M. Rossetti, G. Patriarche, A. Fiore. Optical Quant. Electron., 40 (2-4), 239 (2008)
P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, T. Akiyama. Appl. Phys. Lett., 84 (11), 1820 (2004)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория поля (М., Наука, 1988). [L.D. Landau, E.M. Lifshitz. The Classical Theory of Fields (Oxford, Butterworth-Heinenann, 1996)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель