Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs

DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46148.8683

Переводная версия: 10.1134/S1063782618090129

Орлов Л.К.^1,2, Волкова Н.С.³, Ивина Н.Л.¹, Орлов М.Л.^2,4

¹Нижегородский институт управления --- филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия Nizhny Novgorod Institute of Management—Branch of the Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

Nizhny Novgorod Institute of Management—Branch of the Russian Presidential Academy of National Economy and Public Administration, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

³Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

⁴Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия Alekseev State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia

Alekseev State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 10 июля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено электрополевое поведение резонансных особенностей, наблюдаемых на фотоэлектрических характеристиках гетерокомпозиций InAs/GaAs. Обсуждается механизм эмиссии возбуждаемых светом носителей заряда из квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Показано, что при температуре жидкого азота величина фототока в сильном поперечном электрическом поле определяется исключительно эффектом туннелирования электронов сквозь барьер, формируемый в окрестности интерфейсов квантовых точек. Сопоставление экспериментальных кривых с квазиклассическим выражением для туннельной составляющей тока и последующий анализ структуры потенциала позволили уточнить значения параметров исследуемой гетерокомпозиции. Проанализирован вклад в общую величину туннельного тока резонансной составляющей, связанной с возможным туннелированием электронов сквозь барьер с участием локальных уровней дефектов на гетерогранице. Проведен теоретический анализ влияния уровня возбуждения системы на величину фототока, протекающего через гетеропереход InAs/GaAs.

Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
И.А. Дмитриев, Р.А. Сурис. ФТП, 35, 219 (2001)
J. Lu, P.T. Webster, S. Liu, Y.H. Zhang, S.R. Johnson, D.J. Smith. J. Cryst. Growth, 425, 250 (2015)
Е.С. Шаталина, С.А. Блохин, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, А.В. Савельев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Устинов. ФТП, 44, 1352 (2010)
P.W. Fry, I.E. Itskevich, S.R. Parnell, J. J. Finley, L.R. Wilson, K.L. Schumacher, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick, M. Al-Khafaji, A.G. Cullis, M. Hopkinson, J.C. Clark, G. Hill. Phys. Rev. B, 62, 16784 (2000)
G. Torelly, R. Jakomin, L.D. Pinto, M.P. Pires, J. Ruiz, P.G. Caldas, R. Prioli, H. Xie, F.A. Ponce, P.L. Souza. J. Cryst. Growth, 434, 47 (2016)
A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zi kova, J. Oswald, J. Vyskovcil, P. Komninou, J. Kioseoglou, N. Florini, E. Hulicius. Appl. Surf. Sci., 301, 173 (2014)
Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35, 92 (2001)
P. Waltereit, J.M. Fernandez, S. Kaya, T.J. Thornton. Appl. Phys. Lett., 72, 2262 (1998)
В.А. Погребняк, В.М. Яковенко, И.В. Яковенко. ФТТ, 39, 1875 (1997)
Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kosinovsky. J. Appl. Phys., 77, 1337 (1995)
P.M. Mensz, S. Luryi, A.Y. Cho, D.L. Sivco, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 57, 2558 (1990)
М.Л. Орлов, Л.К. Орлов. ФТП, 43, 679 (2009)
T. Sugaya, K.Y. Jang, C. Koo, K. Komori, A. Shinoda, K. Yonei. J. Appl. Phys., 97, 034507 (2005)
L.K. Orlov, A.A. Mel'nikova, M.L. Orlov, N.A. Alyabina, N.L. Ivina, V.N. Neverov, Zs. Horvath. Physica E: Low Dimensional Systems \& Nanostructures, 51, 87 (2013)
C.M.A. Kapteyn, F. Heinrichsdorff, O. Stier, R. Heitz, M. Grundmann, N.D. Zakharov, D. Bimberg, P. Werner. Phys. Rev. B, 60, 14265 (1999)
Н.С. Волкова, А.П. Горшков, Д.О. Филатов, Д.С. Абрамкин. Письма ЖЭТФ, 100, 175 (2014)
И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.Б. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38, 448 (2004)
Э.Н. Король. ФТТ, 19, 1266 (1977)
Р.А. Сурис. ФТП, 20 (11), 2008 (1986).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель