Исследовано влияние отжига в аргоне при температурах T_an=700 - 900^oC на вольт-амперные характеристики структур металл-Ga₂O₃-GaAs. Образцы получали термическим напылением порошка Ga₂O₃ на пластины GaAs с концентрацией доноров N_d=2·10¹⁶ см^-3. Для измерений вольт-амперных характеристик напыляли металлические V/Ni электроды: верхний электрод на пленку Ga₂O₃ через маски с площадью S_k=1.04·10^-2 см² (затвор) и нижний электрод к GaAs в виде сплошной металлической пленки. После отжига в аргоне при T_an ≥ 700^oC структуры Ga₂O₃-n-GaAs приобретают свойства изотипных гетеропереходов n-типа. Показано, что проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga₂O₃. При отрицательных смещениях рост тока с повышением напряжения и температуры обусловлен термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами. Отжиг при высокой температуре не изменяет концентрацию электронов в оксидной пленке, но влияет на энергетическую плотность поверхностных состояний на границе GaAs-Ga₂O₃. DOI: 10.21883/FTP.2018.02.45436.8597

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.