Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Составление аналитического выражения физического процесса по экспериментальной кривой с изломами

DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44886.8402

Давыдов В.Н.¹, Харитонов С.В.¹, Лугина Н.Э.¹, Мельник К.П.¹

¹Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Email: dvn@fet.tusur.ru

Поступила в редакцию: 16 января 2017 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложена методика составления аналитического выражения экспериментальной кривой, имеющей один или несколько изломов. В зависимости от схемы участия парциальных процессов в результирующем процессе при составлении используются вычисления суммы процессов или их среднего геометрического значения. Для повышения точности аппроксимации в данные выражения введены "функции участия" процессов, ход которых определяется координатой точки пересечения процессов и "параметром точности". Их подбором точность аппроксимации устанавливается соответствующей точности измерения экспериментальной кривой. Показано применение предлагаемой методики в аналитических расчетах с комбинацией нескольких процессов, а также при составлении аналитического выражения экспериментальной кривой с изломами. Получаемое таким способом аппроксимирующее выражение характеризуется наглядностью, высокой точностью аппроксимации, физической простотой и может быть использовано для вычисления других свойств полупроводникового прибора. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44886.8402

С.В. Булярский, Л.Н. Вострецова, С.А. Гаврилов. ФТП, 50 (1), 106 (2016)
А.И. Михайлов. ФТП, 50 (1), 103 (2016)
А.А. Ващенко, Д.О. Горячий, А.Г. Витухновский, Н.Н. Тананаев, В.А. Васнев, Е.Н. Родловская. ФТП, 50 (1), 120 (2016)
Н.С. Курочкин, А.А. Ващенко, А.Г. Витухновский, П.Н. Тананаев. ФТП, 49 (7), 975 (2015)
Г.В. Климко, Т.А. Комиссарова, С.В. Сорокин, Е.В. Контрош, Н.М. Лебедева, А.А. Усикова, Н.Д. Ильинская, В.С. Калиновский, С.В. Иванов. Письма ЖТФ, 41 (18), 82 (2015)
Е.Г. Глуховский, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (14), 47 (2016)
Н.Е. Корсунская, Е.П. Шульга, Т.Р. Стара, П.М. Литвин, В.А. Бондаренко. ФТП, 50 (1), 112 (2016)
В.Н. Давыдов. Электрон. техн. сер. 3, Микроэлектроника. 2, 43 (1982)
В.Н. Давыдов, В.С. Гребенников, И.М. Мусина. Изв. вузов. Физика, 2, 90 (2012)
Ф.С. Габибов, Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, С.П. Крамынин, Е.Г. Пашук, Ш.А. Халилов. Письма ЖТФ, 41 (8), 9 (2015)
П.С. Вергелис, Е.Б. Якимов. ФТП, 49 (2), 149 (2015)
Е.А. Гребенщикова, В.В. Евстропов, Н.Д. Ильинская, Ю.С. Мельников, О.Ю. Серебрякова, В.Г. Сидоров, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 49 (3), 376 (2015)
А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева, Р.М. Рзаев, Н.А. Рагимова, С.И. Амирова. 50 (1), 35 (2016)
Ш.Ш. Азимов, В.Н. Петухов, А.Н. Лакаев, А.М. Лексовский. ЖТФ, 86 (4), 155 (2016)
А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
А.Н. Голубинский. Вестн. Воронеж. ин-та МВД России, 2, 24 (2007). Режим доступа: http://cyberleninka.ru/article/n/metody-approksimatsii-eksperimentalnyh- dannyh-i-postroeniya-modeley
Л.Д. Лямец. Мат. морфология: Электрон. мат. и медико-биол. журн. 1 (1), 12 (1996). Режим доступа: 8.9210 http://www.smolensk.ru/user/sgma/MMORPH/N-1-html/5.htm
В.В. Малов, А.Р. Тамеев, С.В. Новиков, М.В. Хенкин, А.Г. Казанский, А.В. Ванников. ФТП, 50 (4), 489 (2016)
Л.А. Косяченко, В.Я. Литвиненко, Е.Л. Маслянчук. ФТП, 50 (4), 515 (2016)
В.Д. Попов. ФТП, 50 (3), 354 (2016)
А.А. Зарубанов, К.C. Журавлев. ФТП, 49 (3), 392 (2016)
Н.Д. Ильинский, С.А. Карандашев, Н.Г. Карпухина, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. ФТП, 50 (5), 657 (2016)
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов. ФТП, 50 (4), 447 (2016)
А.П. Одринский. ФТП, 49 (3), 294 (2015)
В.Н. Давыдов, Д.А. Новиков. Докл. ТУСУР, 1 (35), 64 (2015)
Ф.Е. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008). [Пер. с англ. F.E. Schubert. Light-Emitted Diodes (Cambridge, 2006)]
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. Кн. 1 (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель