Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N+) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44411.8437
- P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 2006. 17. 3786 (2006)
- H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status Solidi B, 1 (2007)
- М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8), 1016 (2015)
- М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, В.Н. Петров, Е.И. Теруков, Н.М. Лянгузов, Е.М. Кайдашев. ФТП, 49 (11), 1521 (2015)
- М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, И.Н. Трапезникова, М.В. Чукичев, Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, М.В. Еременко. ФТП, 44 (4), 445 (2010)
- М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова, М.В. Еременко, Е.И. Теруков. ФТП, 46 (7), 925 (2012)
- М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, С.М. Голубенко, Е.С. Москаленко. ФТТ, 54 (1), 182 (2012)
- Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969) с. 127
- W.W. Liu, B. Yao, Z.Z. Zhang, Y.F. Li, B.H. Li, C.H. Shan, J.Y. Zhang, D.Z. Chen, X.W. Fan. J. Appl. Phys., 109, 093518 (2011)
- Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, Н.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов. ЖТФ, 54 (5), 62 (2014)
- D.C. Look, K.D. Leedy, D.B. Thomson, B. Wang. J. Appl. Phys., 115, 0122002 (2014)
- C.W. Cheng, E.J. Sie, B. Liu, C.H.A. Huan, T.C. Sum, H.D. Sun, H.J. Fan. Appl. Phys. Lett., 97, 071107 (2010)
- В.М. Лебедев. Сб. тр. IV Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004)
- S. Chalva, M. Saroha, R.K. Kotnala. Electron. Mater. Lett., 10 (1), 73 (2014)
- М.М. Мездрогина, А.Я. Виноградов, М.В. Еременко, В.С.Левицкий, Е.И. Теруков, Ю.В. Кожанова. Опт. и спектр., 121 (2), 62 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
