Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al2O3 различной толщины
Российский научный фонд, 15-19-10002
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: rishatvaleev@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Представлены результаты исследований методами EXAFS, XANES и рентгенодифракционных исследований наноразмерных структур ZnS : Cu (5 ат%), полученных методом термического осаждения смеси порошков ZnS и Cu в матрицы пористого анодного оксида алюминия с диаметром пор 80 нм и толщиной 1, 3 и 5 мкм. Проведено сравнение с результатами, полученными для пленок ZnS : Cu, осажденных на поверхность поликора. Рентгенофазовый анализ образцов показал наличие соединений меди и цинка с серой (Cu2S и ZnS соответственно), причем последнее находится в кубической (сфалерит) и гексагональной (вюрцит) модификациях. EXAFS- и XANES-исследования на K-крае поглощения цинка и меди показали, что в образцах, напыленных на поликор и оксид алюминия толщиной 3 и 5 мкм, большая часть атомов меди находится в соединении Cu2S, тогда как в образце, напыленном на слой оксида алюминия толщиной 1 мкм, атомы меди формируют на поверхности образца металлические частицы. Наличие кристаллической меди оказывает влияние на межатомное расстояние Zn-S для образца с толщиной слоя пористого Al2O3 1 мкм: оно меньше по сравнению с характерным для других образцов. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44108.8344
- О.В. Максимова, М.К. Самохвалов. Разработка методов анализа и синтеза тонкопленочных электролюминесцентных элементов в индикаторных устройствах (Ульяновск, УлГТУ, 2010) гл. 2, с. 26
- Ю.Ю. Бачериков, Н.В. Кицюк. ЖТФ, 75, 129 (2005)
- И.К. Верещагин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин. Электролюминесцентные источники света (М., Энергоатомиздат, 1990) гл. 3, с. 87
- Р.Г. Валеев, Д.И. Петухов, А.И. Чукавин, А.Н. Бельтюков. ФТП, 50, 269 (2016)
- X. Fang, T. Zhai, U.K. Gautam, L. Li, L. Wu, Y. Bando, D. Goldberg. Prog. Mater. Sci., 56, 175 (2011)
- C.T. Sousa, D.C. Leitao, M.P. Proenca, J. Ventura, A.M. Pereira, J.P. Araujo. Appl. Phys. Rev., 1, 031102 (2014)
- F. Bentaleb, E. Marceau. Micropor. Mesopor. Mater., 156, 40 (2012)
- R. Valeev, E. Romanov, A. Beltukov, V. Mukhgalin, I. Roslyakov, A. Eliseev. Phys. Status. Solidi C, 9 (6), 1462 (2012)
- D. Botez, D.R. Scifres. Diod Laser Arrays (Cambridge University Press, 2005) p. 411
- Р.Г. Валеев, Д.В. Сурнин, А.Н. Бельтюков, В.М. Ветошкин, В.В. Кривенцов, Я.В. Зубавичус, А.А. Елисеев, Н.А. Мезенцев. ЖСХ, 51, 135 (2010)
- A. Beltukov, R. Valeev, E. Romanov, V. Mukhgalin. Phys. Status Solidi C, 11 (9), 1452 (2014)
- D.I. Petukhov, K.S. Napolskii, M.V. Berekchiyan, A.G. Lebedev, A.A. Eliseev. ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 7819 (2013)
- Y. Lin, Q. Lin, X. Liu, Y. Gao, J. He, W. Wang, Z. Fan. Nanoscale Res. Lett., 10, 495 (2015)
- M. Newville. J. Synchrotron Rad., 8, 322 (2001)
- S.I. Zabinsky, J.J. Rehr, A. Ankudinov, R.C. Albers, M.J. Eller. Phys. Rev. B, 52, 2995 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
