Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1 2 3
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs

Российский научный фонд, Гранты для поддержки ведущих лабораторий, 14-22-00273

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные проекты, 15-32-21036

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные проекты, 14-02-01074

Министерство образования и науки Российской Федерации, Гранты президента для поддержки молодых кандидатов наук, MK-5417.2015.2

Козловский В.И.^1,2, Кривобок В.С.^2,1, Кузнецов П.И.³, Николаев С.Н.¹, Онищенко Е.Е.¹, Пручкина А.А.¹, Тимирязев А.Г.³, Мартовицкий В.П.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Email: krivobok@lebedev.ru

Поступила в редакцию: 6 октября 2015 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs выращены напряженные эпитаксильные слои ZnSe. Обнаружено, что на поверхности таких слоев формируются наноостровки Se плотностью от 10⁸ до 10⁹ см^-2. Установлено, что после завершения роста происходит увеличение размера островков Se и уменьшение их плотности. Отжиг в атмосфере H₂ при температуре выше 260^oC приводит к исчезновению островка Se и уменьшению шероховатости поверхности. Показано, что отжиг не ведет к ухудшению структурного совершенства эпитаксиальных пленок ZnSe, при этом способствуя уменьшению интенсивности примесно-дефектной люминесценции и увеличению интенсивности собственного излучения вблизи дна экситонной зоны.

D. Xu, W. Xie, W. Liu, J. Wang, L. Zhang, Y. Wang, S. Zhang, L. Sun, X. Shen, L. Chen. Appl. Phys. Lett., 104, 082 101 (2014)
O. Kyriienko, T.C.H. Liew, I.A. Shelykh. Phys. Rev. Lett., 112, 076 402 (2014)
C. Khripkov, C. Piermarocchi, A. Vardi. Phys. Rev. B, 88, 235 305 (2013)
M.M. Glazov, M.A. Semina, E.Y. Sherman, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 88, 041 309 (2013)
R. Balili, V. Hartwell, D. Snoke, L. Pfeiffer, K. West. Science, 316, 1007 (2007)
J. Kasprzak, M. Richard, S. Kundermann, A. Baas, P. Jeambrun, J.M.J. Keeling, F.M. Marchetti, M.H. Szymanska, R. Andre, J.L. Staehli, V. Savona, P.B. Littlewood, B. Deveaud, L. Dang. Nature, 443, 409 (2006)
J. Restrepo, C. Ciuti, I. Favero. Phys. Rev. Lett., 112, 013 601 (2014)
F. Li, L. Orosz, O. Kamoun, S. Bouchoule, C. Brimont, P. Disseix, T. Guillet, X. Lafosse, M. Leroux, J. Leymarie, G. Malpuech, M. Mexis, M. Mihailovic, G. Patriarche, F. Reveret, D. Solnyshkov, J. Zuniga-Perez. Appl. Phys. Lett., 102, 191 118 (2013)
K.S. Daskalakis, P.S. Eldridge, G. Christmann, E. Trichas, R. Murray, E. Iliopoulos, E. Monroy, N.T. Pelekanos, J.J. Baumberg, P.G. Savvidis. Appl. Phys. Lett., 102, 101 113 (2013)
K. Sebald, M. Seyfried, S. Klembt, S. Bley, A. Rosenauer, D. Hommel, C. Kruse. Appl. Phys. Lett., 100, 161 104 (2012)
X.B. Zhang, S.K. Hark. Appl. Phys. Lett., 74 (25), 3857 (1999)
M. Lopez-Lopez, A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, I. Hernandez-Calderon. J. Cryst. Growth, 193, 528 (1998)
J.B. Smathers, E. Kneedler. Appl. Phys. Lett., 72 1238, (1998)
X.B. Zhang, K.L. Ha, S.K. Hark. J. Cryst. Growth, 223, 528 (2001)
В.С. Багаев, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, А.В. Новиков. ЖЭТФ, 136, 1154 (2009)
В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Д.А. Санников. ЖЭТФ, 132, 1379 (2007)
J.W. Allen, Semicond. Sci. Technol., 10, 1049 (1995)
G.B. Stringfellow, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 39, 3657 (1968)
E.D. Wheeler, J.L. Boone, J.W. Farmer, H.R. Chandrasekhar. J. Appl. Phys., 81, 524 (1997)
B.J. Skromme, S.M. Shibli, J.L. de Miguel, M.C. Tamargo. J. Appl. Phys., 69, 3999 (1989)
A. D. Raisanen, L.J. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni, A. Franciosi. Appl. Phys. Lett., 66, 3301 (1995)
K. Shahzad, J, Petruzzello, D.J. Olego, D.A. Cammack, J.M.Gaines. Appl. Phys. Lett., 57, 2452 (1990)
W.C. Chou, A. Twardowski, K. Chern-Yu, F.R. Chen, C.R. Hua, B.T. Jonker, W.Y. Yu, S.T. Lee, A. Petrou, J. Warnock. J. Appl. Phys., 75, 2936 (1994)
R.J. Thomas, Benjamin Rockwell, H.R. Chandrasekhar, Meera Chandrasekhar, A.K. Ramdas, M. Kobayashi, R.L. Gunshor. J. Appl. Phys., 78, 6569 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель