Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на основе GaAs
1Андижанской государственный университет им. З.М. Бабура, Андижан, Узбекистан
2Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Email: prof_sirojiddin@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка является монокристаллической с ориентацией (100) и имеет сфалеритную структуру. Параметр кристаллической решетки пленки составлял af=0.56697 нм. Особенности спектральной зависимости фоточувствительности обусловлены образованием различных комплексов заряженных компонентов. Установлено, что вольт-амперная характеристика таких структур при малых напряжениях (до 0.4 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при больших (V>0.5 В) - степенной зависимостью типа J~ Valpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.
- Ж.И. Алфёров. УФН, 172 (9), 1072 (2002)
- S.L. Sheng. Semiconductor Physical Electronics (2006). ISBN 978-0387-28893-2
- A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. and Phys., 68, (2001)
- В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов (М., Сов. pадио, 1975)
- А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев aрсенида галлия и твердых растворов на его основе (Ташкент, Фан, 1986)
- Справочник химика, под. ред. Б.П. Никольского. (М.Л., Химия, 1982)
- М.С. Саидов. Гелиотехника, 3, 4 (2001)
- С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электронографический анализ (М., Металлургия, 1970)
- И.Л. Шулпина, Р.Н. Кютт, В.В. Ратников, И.А. Прохоров, И.Ж. Безбах, М.П. Щеглов. ЖТФ, 80 (4), 105 (2010)
- Краткий справочник физико-химических величин, под ред. А.А. Равделя и А.М. Пономаревой. (Л., Химия, 1983)
- К.А. Амонов. Матер. XLVIII междунар. науч. студ. конф. (Новосибирск, 2010) ст. 182
- В.И. Стафеев. ЖТФ, 28 (9), 1631 (1958)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Советское радио, 1978)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- А.Ю. Лейдерман. В кн.: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями (М., Металлургия, 1987) ст. 232
- А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП, 30, 1729 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
