Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка является монокристаллической с ориентацией (100) и имеет сфалеритную структуру. Параметр кристаллической решетки пленки составлял a_f=0.56697 нм. Особенности спектральной зависимости фоточувствительности обусловлены образованием различных комплексов заряженных компонентов. Установлено, что вольт-амперная характеристика таких структур при малых напряжениях (до 0.4 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I₀exp(qV/ckT), а при больших (V>0.5 В) - степенной зависимостью типа J~ V^alpha, где показатель степени alpha меняется с ростом напряжения. Результаты объясняются в рамках теории дрейфового механизма переноса тока, учитывающей возможность обмена свободными носителями внутри рекомбинационного комплекса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.