Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, ГСП-486 Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, ГСП-486 Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Было изучено влияние нейтронного облучения на люминесценцию гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками. Обнаружено, что в результате нейтронного облучения происходит как дефектообразование, так и радиационный отжиг ростовых дефектов. Квантовые точки более устойчивы к нейтронному облучению в сравнении с квантовыми ямами. Показано, что слой квантовых точек InAs/GaAs, расположенный вблизи поверхности, менее чувствителен к облучению нейтронами в сравнении с его объемным расположением. В этом случае может наблюдаться увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции после нейтронного облучения, связанное с эффектами радиационного отжига. Обнаружено большое влияние упругих напряжений в квантовых ямах InGaAs/GaAs на степень гашения интенсивности фотолюминесценции при облучении нейтронами. В гетероструктурах с квантовыми ямами эффект радиационного отжига проявляется в длинноволновом сдвиге пика фотолюминесценции вследствие уменьшения упругих напряжений после нейтронного облучения. Легирование кремнием буферного слоя GaAs также уменьшает величину этого спектрального сдвига.
- P.T. Grifin, M.S. Yazo, T.F. Guerd, J.С. Kelly. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36, 1937 (1989)
- W. Lu, Y.L. Ji, G.B. Chen, N.Y. Tang, X.S. Chen, S.C. Shen, Q.X. Zhao, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 83, 4300 (2003)
- N.A. Sobolev, A. Cavaco, M.C. Carmo, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg. Phys. Status Solidi B, 224, 93 (2001)
- R. Leon, G.M. Swift, B. Magness, W.A. Taylor, Y.S. Tang et al. Appl. Phys. Lett., 76, 2074 (2000)
- Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников и др. Высокочистые вещества, 4, 114 (1993)
- А.В. Бобыль, Р.В. Канакова, В.К. Кононов, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.А. Тхорик. Электрон. техн. Сер. управление качеством, 4(151)-5(152), 31 (1992)
- P.J. Poole, S. Charbonneau, G.C. Aers, T.E. Jackman, M. Buchanan, M. Dion, R.D. Goldberg, I.V. Mitchell. J. Appl. Phys., 78, 2367 (1995)
- L. Fu, H.H. Tan, M.B. Johnston, M. Gal, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 85, 6786 (1999)
- Г.П. Пека, О.А. Токалин. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 14, 1 (1988)
- М.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова. Вестн. АН УССР 6, 18 (1989)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
- И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
- К.Д. Клинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 533 (1997)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 12
- D.I. Tetelbaum, D.V. Guseinov, V.K. Vasiliev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, S.V. Obolensky, A.N. Kachemtsev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 326, 41 (2014)
- R. Sreekumar, A. Mandal, S.K. Gupta, S. Chakrabarti. Mater. Res. Bulletin, 46, 1786 (2011)
- А. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 103, 083 548 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
