"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr
Газизов И.М.1, Залетин В.М.2, Говорков А.В.3, Кузнецов М.С.3, Лисицкий И.С.3, Поляков А.Я.2, Смирнов Н.Б.3
1ОАО "Институт физико-технических проблем", Дубна, Россия
2Университет "Дубна", Дубна, Россия
3OAO "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

TlBr является перспективным широкозонным полупроводником для создания детекторов gamma-излучения. Одним из сдерживающих факторов развития технологии изготовления детекторов является отсутствие экспериментально установленных центров прилипания и рекомбинации. В работе дана обобщенная модель возникновения и поведения собственных дефектов в чистых и легированных монокристаллах TlBr, установлена их связь с условиями роста и электрофизическими свойствами. В качестве объектов для анализа использовались ранее полученные температурные зависимости фотопроводимости, данные токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и микрокатодолюминесценции, кинетические характеристики фотопроводимости. Показано значение компенсации заряженных центров, определяющих транспортные характеристики носителей заряда. В компенсированных легированных кристаллах TlBr произведение подвижности и времени жизни может достигать mutau=5·10-4 см2·B-1. Предложена энергетическая диаграмма локальных уровней в чистых и легированных кристаллах TlBr. Определены энергии залегания основных структурных и примесных дефектов в TlBr: анионной вакансии Va+ и катионной вакансии Vc-, ионов Pb2+, O2-, S2-. Энергетическое положение одиночной анионной вакансии составляет Ec-0.22 эВ. Глубина залегания катионной вакансии составляет Ev+0.85 эВ для изолированной катионной вакансии и Ev+0.58 эВ в составе комплекса Pb2+ Vc-0. Энергетический уровень кулоновской ловушки Pb2+ в легированных кристаллах TlBr имеет энергию Ec-0.08 эВ.
  • В.М. Залетин, В.П. Варварица. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 54 (3), 3 (2010)
  • A. Owens, A. Peacock. Nucl. Instr. Meth. A, 531, 18 (2004)
  • В.М. Залетин, И.П. Барков, И.М. Газизов, В.С. Хрунов, И.С. Лисицкий, М.С. Кузнецов. Атом. энергия, 106 (4), 214 (2009)
  • В.М. Залетин, И.С. Лисицкий, М.С Кузнецов, И.П. Барков, И.М. Газизов, В.С. Хрунов. Матер. IX Росс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники 09" (Новосибирск, 2009) с. 171
  • И.М. Газизов, В.М. Залетин, В.М. Кукушкин, В.С. Хрунов. ФТП, 45 (5), 647 (2011)
  • I.M. Gazizov, V.M. Zaletin. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record (Knoxville, TN, IEEE, 2010) p. 3704
  • И.М. Газизов, В.М. Залетин, В.М. Кукушкин, М.С. Кузнецов, И.С. Лисицкий. ФТП, 46 (3), 405 (2012)
  • N.B. Smirnov, I.S. Lisitsky, M.S. Kuznetsov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record ( San Diego, CA, IEEE, 2006) p. 3700
  • М.С. Кузнецов, К.С. Зараменских, И.С. Лисицкий. Цв. металлы, N 4, 81 (2011)
  • I.M. Gazizov, M. V. Kuznetsov, I.S. Lisitsky, V.M. Zaletin. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record (Knoxville, TN, IEEE, 2010) p. 3732
  • Н.Б. Смирнов, А.В. Говорков, М.С. Кузнецов, К.С. Зараменских, И.С. Лисицкий. Цв. металлы, N 6, 51 (2011)
  • Н.Б. Смирнов, А.В. Говорков, Е.А. Кожухова, И.С. Лисицкий, М.С. Кузнецов, К.С. Зараменских, А.Я. Поляков. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 57 (3), 4 (2013)
  • KS. Zaramenskikh, M.S. Kouznetsov, I.S. Lisitskij, N.B. Smirnov, I.M. Gazizov, V.M. Zaletin, M. Shorohov, V. Gostilo. 15th Int. Workshop on Radiation Imaging Detectors. Abstracts book (Paris, France, IWORID, 2013) PO-3-32, p. 206
  • И.С. Лисицкий, Н.Б. Смирнов, М.С. Кузнецов, А.В. Говорков, Е.А. Кожухова, В.М. Залётин. В сб.: Труды "Гиредмет" (М., ЗАО "Принт", 2007) с. 130
  • T. Kawai, K. Kobayashi, M. Kurita, Y. Makita. J. Phys. Soc. Jpn., 30 (4), 1101(1971)
  • В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  • S.A. Samara. Phys. Rev. B, 24, 575 (1981)
  • M.-H. Du. J. Appl. Phys., 108, 053 506 (2010)
  • V. Lordi. J. Cryst. Growth, 379, 84 (2013)
  • M.-H. Du. J. Appl. Phys., 111, 073 519 (2012)
  • L. Grigorjeva, D. Millers. Nucle. Instr. Meth. B, 191, 134 (2002)
  • R.W. Christy, J.D. Dimock. Phys. Rev., 141 (2), 806 (1966)
  • И.М. Газизов, М.С. Кузнецов, И.С. Лисицкий, В.М. Залетин. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 55 (3), 13 (2011)
  • Е.Б. Козырева, В.Г. Власов, П.В. Мейкляр. Опт. и спектр., 26 (5), 843 (1969)
  • В.Ф. Агекян, Ю.А. Степанов. ФТТ, 43 (4), 730 (2001)
  • M.T. Bennenbroek, A. Arnold, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 54 (16), 11 276 (1996)
  • Chien-the Kao, L.G. Rowan, L.M. Slifkin. Phys. Rev. B, 42 (5), 3142 (1990)
  • K. Takahei, K. Kobayashi. J. Phys. Soc. Jpn., 44 (6), 1850 (1978)
  • A. Fujii, T. Kudou. J. Phys. Soc. Jpn., 64 (11), 4493 (1995)
  • П.В. Мейкляр. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения (М., Наука, 1972)
  • Т.Э. Кехва, В.М. Белоус, А.Л. Картужанский, Б.Т. Плаченов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 38 (6), 1294 (1974)
  • A.P. Marchetti, M.S. Burberry, J.P. Spoonhower. Phys. Rev. B, 43 (3), 2378 (1991)
  • В.А. Соколов, В.А. Толстой. Опт. и спектр., 18 (2), 251 (1965)
  • M.S. Burberry, A.P. Marchetti. Phys. Rev. B, 32 (2), 1192 (1985)
  • S. Sonoike. Jpn., J. Appl. Phys., 32 (8), 3481 (1993)
  • H.M. Smith, D.J. Philips, I.D. Sharp, J.W. Beeman, D.C. Chran, N.M. Hagel, E.E. Haller, G. Ciampi, H. Kim, K. Shah. Appl. Phys. Lett., 100, 202 102 (2012)
  • I.M. Gazizov. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record (Knoxville, TN, IEEE, 2010) p. 3709
  • И.М. Газизов. Неопубликованное (2010)
  • M. Shorohov, L. Grigorjeva, D. Millers. Nucl. Instr. Meth. A, 563, 78 (2006).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.