"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr
Газизов И.М.1, Залетин В.М.2, Говорков А.В.3, Кузнецов М.С.3, Лисицкий И.С.3, Поляков А.Я.2, Смирнов Н.Б.3
1ОАО "Институт физико-технических проблем", Дубна, Россия
2Университет "Дубна", Дубна, Россия
3OAO "ГИРЕДМЕТ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

TlBr является перспективным широкозонным полупроводником для создания детекторов gamma-излучения. Одним из сдерживающих факторов развития технологии изготовления детекторов является отсутствие экспериментально установленных центров прилипания и рекомбинации. В работе дана обобщенная модель возникновения и поведения собственных дефектов в чистых и легированных монокристаллах TlBr, установлена их связь с условиями роста и электрофизическими свойствами. В качестве объектов для анализа использовались ранее полученные температурные зависимости фотопроводимости, данные токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и микрокатодолюминесценции, кинетические характеристики фотопроводимости. Показано значение компенсации заряженных центров, определяющих транспортные характеристики носителей заряда. В компенсированных легированных кристаллах TlBr произведение подвижности и времени жизни может достигать mutau=5·10-4 см2·B-1. Предложена энергетическая диаграмма локальных уровней в чистых и легированных кристаллах TlBr. Определены энергии залегания основных структурных и примесных дефектов в TlBr: анионной вакансии Va+ и катионной вакансии Vc-, ионов Pb2+, O2-, S2-. Энергетическое положение одиночной анионной вакансии составляет Ec-0.22 эВ. Глубина залегания катионной вакансии составляет Ev+0.85 эВ для изолированной катионной вакансии и Ev+0.58 эВ в составе комплекса Pb2+ Vc-0. Энергетический уровень кулоновской ловушки Pb2+ в легированных кристаллах TlBr имеет энергию Ec-0.08 эВ.
  1. В.М. Залетин, В.П. Варварица. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 54 (3), 3 (2010)
  2. A. Owens, A. Peacock. Nucl. Instr. Meth. A, 531, 18 (2004)
  3. В.М. Залетин, И.П. Барков, И.М. Газизов, В.С. Хрунов, И.С. Лисицкий, М.С. Кузнецов. Атом. энергия, 106 (4), 214 (2009)
  4. В.М. Залетин, И.С. Лисицкий, М.С Кузнецов, И.П. Барков, И.М. Газизов, В.С. Хрунов. Матер. IX Росс. конф. по физике полупроводников "Полупроводники 09" (Новосибирск, 2009) с. 171
  5. И.М. Газизов, В.М. Залетин, В.М. Кукушкин, В.С. Хрунов. ФТП, 45 (5), 647 (2011)
  6. I.M. Gazizov, V.M. Zaletin. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record (Knoxville, TN, IEEE, 2010) p. 3704
  7. И.М. Газизов, В.М. Залетин, В.М. Кукушкин, М.С. Кузнецов, И.С. Лисицкий. ФТП, 46 (3), 405 (2012)
  8. N.B. Smirnov, I.S. Lisitsky, M.S. Kuznetsov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record ( San Diego, CA, IEEE, 2006) p. 3700
  9. М.С. Кузнецов, К.С. Зараменских, И.С. Лисицкий. Цв. металлы, N 4, 81 (2011)
  10. I.M. Gazizov, M. V. Kuznetsov, I.S. Lisitsky, V.M. Zaletin. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record (Knoxville, TN, IEEE, 2010) p. 3732
  11. Н.Б. Смирнов, А.В. Говорков, М.С. Кузнецов, К.С. Зараменских, И.С. Лисицкий. Цв. металлы, N 6, 51 (2011)
  12. Н.Б. Смирнов, А.В. Говорков, Е.А. Кожухова, И.С. Лисицкий, М.С. Кузнецов, К.С. Зараменских, А.Я. Поляков. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 57 (3), 4 (2013)
  13. KS. Zaramenskikh, M.S. Kouznetsov, I.S. Lisitskij, N.B. Smirnov, I.M. Gazizov, V.M. Zaletin, M. Shorohov, V. Gostilo. 15th Int. Workshop on Radiation Imaging Detectors. Abstracts book (Paris, France, IWORID, 2013) PO-3-32, p. 206
  14. И.С. Лисицкий, Н.Б. Смирнов, М.С. Кузнецов, А.В. Говорков, Е.А. Кожухова, В.М. Залётин. В сб.: Труды "Гиредмет" (М., ЗАО "Принт", 2007) с. 130
  15. T. Kawai, K. Kobayashi, M. Kurita, Y. Makita. J. Phys. Soc. Jpn., 30 (4), 1101(1971)
  16. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  17. S.A. Samara. Phys. Rev. B, 24, 575 (1981)
  18. M.-H. Du. J. Appl. Phys., 108, 053 506 (2010)
  19. V. Lordi. J. Cryst. Growth, 379, 84 (2013)
  20. M.-H. Du. J. Appl. Phys., 111, 073 519 (2012)
  21. L. Grigorjeva, D. Millers. Nucle. Instr. Meth. B, 191, 134 (2002)
  22. R.W. Christy, J.D. Dimock. Phys. Rev., 141 (2), 806 (1966)
  23. И.М. Газизов, М.С. Кузнецов, И.С. Лисицкий, В.М. Залетин. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 55 (3), 13 (2011)
  24. Е.Б. Козырева, В.Г. Власов, П.В. Мейкляр. Опт. и спектр., 26 (5), 843 (1969)
  25. В.Ф. Агекян, Ю.А. Степанов. ФТТ, 43 (4), 730 (2001)
  26. M.T. Bennenbroek, A. Arnold, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 54 (16), 11 276 (1996)
  27. Chien-the Kao, L.G. Rowan, L.M. Slifkin. Phys. Rev. B, 42 (5), 3142 (1990)
  28. K. Takahei, K. Kobayashi. J. Phys. Soc. Jpn., 44 (6), 1850 (1978)
  29. A. Fujii, T. Kudou. J. Phys. Soc. Jpn., 64 (11), 4493 (1995)
  30. П.В. Мейкляр. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения (М., Наука, 1972)
  31. Т.Э. Кехва, В.М. Белоус, А.Л. Картужанский, Б.Т. Плаченов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 38 (6), 1294 (1974)
  32. A.P. Marchetti, M.S. Burberry, J.P. Spoonhower. Phys. Rev. B, 43 (3), 2378 (1991)
  33. В.А. Соколов, В.А. Толстой. Опт. и спектр., 18 (2), 251 (1965)
  34. M.S. Burberry, A.P. Marchetti. Phys. Rev. B, 32 (2), 1192 (1985)
  35. S. Sonoike. Jpn., J. Appl. Phys., 32 (8), 3481 (1993)
  36. H.M. Smith, D.J. Philips, I.D. Sharp, J.W. Beeman, D.C. Chran, N.M. Hagel, E.E. Haller, G. Ciampi, H. Kim, K. Shah. Appl. Phys. Lett., 100, 202 102 (2012)
  37. I.M. Gazizov. Nucl. Sci. Symp. Conf. Record (Knoxville, TN, IEEE, 2010) p. 3709
  38. И.М. Газизов. Неопубликованное (2010)
  39. M. Shorohov, L. Grigorjeva, D. Millers. Nucl. Instr. Meth. A, 563, 78 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.