Вышедшие номера
О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению
Герасименко Н.Н.1,2, Тыныштыкбаев К.Б., Старков В.В.3, Токмолдин С.Ж., Гостева Е.А.4, Медетов Н.А.1
1НИУ"Московский государственный институт электронной техники", Зеленоград, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
4 Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

При длительном анодном травлении монокристаллического кремния p-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается образование трещин. Показано, что трещины формируются в условиях "мягкого" воздействия, когда возможно образование квазиравновесных точечных дефектов, их последующее пространственно-временное распределение в результате миграции к различным стокам и образование пор. Условия "мягкого" воздействия имеют место при электротехническом травлении в электролите с внутренним источником тока, а также при низкоэнергетических околопороговых радиационных облучениях, при тепловых, механических, химических и других воздействиях. Сделано заключение об общем характере процессов образования трещин в упругих твердых телах, связанном с трансформацией пор при длительных временах воздействия в микропоры и трещины.