Фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток второго типа, выращенных на поверхности (311), определяются ее полярностью. Ранее электронно-микроскопические исследования показали наличие в образцах, выращенных на поверхности (311)A, гофрировки ( corrugation) обоих GaAs / AlAs- и AlAs / GaAs-интерфейсов с высотой 1 нм и периодом 3.2 нм. В настоящей работе в электронно-микроскопических картинах и их фурье-изображениях сверхрешетки, выращенной на поверхности (311)B, латеральная периодичность в 3.2 нм также выявляется, однако выражена она слабо, что связано с нечетким гофрированием и наличием длинноволнового (>10 нм) беспорядка. Спектры фотолюминесценции сверхрешетки GaAs / AlAs на поверхности (311)A сильно поляризованы относительно направления гофрирования интерфейса в отличие от сверхрешетки (311)B, где гофрировка выражена слабо. Нами обнаружено, что гигантское замешивание Gamma- и X-минимумов зоны проводимости имеет место только для сверхрешоток с сильно гофрированными интерфейсами и позволяет получить ярко-красную люминесценцию вблизи 650 нм вплоть до комнатной температуры. Обнаруженные отличия для сверхрешеток, выращенных на поверхностях (311)A и (311)B, подтверждают, что именно гофрирование интерфейса, а не кристаллографическая ориентация играет определяющую роль в оптических свойствах сверхрешоток (311).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.