Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ванье-штарковская локализация в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния О б з о р

Санкин В.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 декабря 2001 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.

PDF версия

Приведены результаты исследования политипов карбида кремния в сильных электрических полях. Показано, что наличие естественной сверхрешетки в политипах карбида кремния приводит к минизонной структуре зоны проводимости, что в свою очередь вызывает серию эффектов, а именно отрицательную дифференциальную проводимость в режиме блоховских осцилляций, электрон-фононные резонансы, локализацию нижней минизоны, резонансное туннелирование между первой и второй минизонами, дырочную монополию ударной ионизации в широкой области полей, аномально высокие поля лавинного пробоя с отрицательной температурной зависимостью напряжения пробоя и многие другие оригинальные эффекты. Заметим, что все перечисленное является составной частью единого процесса ванье-штарковской локализации, который возникает по мере возрастания средней величины электрического поля от 100 до 2900 кВ/см (максимальная величина поля в резком p-n-переходе была вдвое больше).

F. Bloch. Z. Phys., 52, 555 (1928)
Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
G.N. Wannier. Phys. Rev., 11, 432 (1960)
L. Esaky, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
A. Rabinovitch, J. Zak. Phys. Rev. B, 4, 2358 (1971)
D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 7353 (1987)
L. Kleinman. Phys. Rev. B, 41, 3857 (1990)
N.L. Chupricov. J. Phys.: Condens. Matter., 11, 1069 (1999)
E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 160, 2426 (1988)
P. Voisin, J. Bleuse, C. Bouche, S. Gaillard, C. Alibert, A. Regreny. Phys. Rev. Lett., 61, 1639 (1988)
J. Feldman, K. Leo, D.A.B. Miller, J.E. Cunningham, S. Schmitt-Rink, T. Meier, G. von Plessen, A. Schulze, P. Thomas. Phys. Rev. B, 46, 7252 (1992)
K. Leo, P. Haring Boilvar, E. Bruggeman, R. Schwedler, K. Kohler. Sol. St. Commun., 84, 943 (1992)
A. Sibille, J.F. Palmier, H. Wang, F. Mollot. Phys. Rev. Lett., 64, 52 (1990)
F. Bettram, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchinson, S.-N.G. Chu, A.Y. Cho. Phys. Rev. Lett., 64, 3167 (1990)
J. Grenzer, A.A. Ignatov, E. Schomburg, K.F. Renk, D.G. Pavel'ev, Yu. Koschurinov, B. Metzer, S. Ivanov, S. Schaposchnikov, P.S. Kop'ev. Ann. Physik, 4, 1 (1995)
A. Sibille, J.F. Palmier, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 60, 457 (1992)
Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7 (7), 5 (1981)
А.О. Константинов, А.П. Кузьмин, М.И. Лебедев, Д.П. Литвин, А.Г. Остроумов, В.И. Санкин, В.И. Семенов. ЖТФ, 54, 1622 (1984)
В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 1335 (1981)
Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, В.И. Санкин, М.Г. Рамм, А.Г. Остроумов, В.И. Соколов. ФТП, 16, 2029 (1982)
G.A. Baraff. Phys. Rev., 128, 2507 (1962)
Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. ФТП, 19, 814 (1985)
G.B. Dubrovskii, A.A. Lepneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol., 57, 423 (1973)
А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
H. Ando, H. Kanbe. Sol. St. Electron., 24, 629 (1981)
А.С. Тагер. ФТТ, 6, 1093 (1964)
В.И. Санкин, Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин. ФТП, 18, 2146 (1984)
P.P. Webb, R.Y. McIntyre, Y. Conradi. RCA Rev., 35, 234 (1974)
В.И. Санкин, А.В. Наумов, М.Г. Рамм, А.А. Вольфсон, Л.С. Смеркло. Письма ЖТФ, 15 (24), 43 (1989)
V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 22--26 (St. Petersburg, Russia, 1997)
З.С. Грибников. ЖЭТФ, 74, 2112 (1978)
Г.Б. Дубровский, В.И. Санкин. ФТТ, 14, 1200 (1972)
Г.Б. Дубровский, В.И. Санкин. ФТТ, 17, 2776 (1975)
C. van Opdorp, J. Vrakking. J. Appl. Phys., 40, 2320 (1969)
W.V. Muench, I.P. Pfaffeneder. J. Appl. Phys., 48, 4831 (1977)
P.J. Price. IBM J. Res Dev., 17, 39 (1973)
Р.А. Сурис, Б.С. Щамхалова. ФТП, 18, 178 (1984)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) с. 111
Б.С. Кернер, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 13 (8), 19 (1987)
B.S. Kerner, D.P. Litvin, A.D. Roenkov, V.I. Sankin. Springer Proc. in Phys., 43, 243 (1991)
В.А. Ващенко, Ю.А. Водаков, В.В. Гафийчук, Б.Й. Дацко, Б.С. Кернер, Д.П. Литвин, В.В. Осипов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. ФТП, 25, 1209 (1991)
Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 10 (3), 3 (1984)
А.И. Бараненков, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 1, 63 (1972)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 74, 1675 (1978)
Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ЖЭТФ, 79, 2218 (1980)
V.V. Bryksin, Yu.A. Firsov, S.A. Ktitorov. Sol. St. Commun., 39, 385 (1981)
D. Emin, C.F. Hart. Phys. Rev. B, 36, 2530 (1987)
R. Tsu, G. Dohler. Phys. Rev. B, 12, 680 (1975)
Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 148 (1972)
В.И. Санкин, Д.П. Литвин, А.А. Мальцев, А.В. Наумов, А.Д. Роенков. Письма ЖТФ, 13 (12), 47 (1987)
В.И. Санкин, А.В. Наумов. Письма ЖТФ, 16, 91 (1990)
V.I. Sankin, A.V. Naumov. Springer Proc. in Phys., 43, 221 (1991)
V.I. Sankin, A.V. Naumov. Superlattice and Microstructures, 10, 353 (1991)
В.И. Санкин, А.В. Наумов, И.А. Столичнов. Письма ЖТФ, 17, 38 (1991)
V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 22--26 (St. Petersburg, Russia, 1994)
В.И. Санкин, I.A. Stolichnov. Superlat. Microstruct., 23, 999 (1998)
В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 34, 831 (2000)
В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 64, 105 (1996)
А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. УФН, 96, 633 (1968)
В.И. Санкин, И.А. Столичнов. Письма ЖЭТФ, 59, 703 (1994)
V.I. Sankin, I.A. Stolichnov. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 26--30 (St. Petersburg, Russia, 1995)
W.V. Muench, E. Petterpaul. J. Appl. Phys., 48, 482 (1977)
I.A. Khan, J.A. Cooper, Jr. Proc. ICSCIII-N'97. Stockholm (1997) p. 57
V.I. Sankin, A.A. Lepneva. Int. Symp. on Nanostructures: Physics and Technology, June 22--26 (St. Petersburg, Russia, 1998)
В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП, 33, 586 (1999)
Б.Л. Гельмонт, М.С. Шур. ФТП, 7, 453 (1973).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель