Проведен анализ рекомбинации неравновесных носителей в слабо легированном бором микрокристаллическом кремнии p-типа проводимости, полученном высокочастотным разложением силана, сильно разбавленного водородом, при большой высокочастотной мощности. Для структуры такого материала характерно наличие колонноподобных образований, состоящих из микрокристаллитов. Установлено, что в ограниченном интервале температур доминирующим механизмом рекомбинации может выступать рекомбинация на межколонных границах в сочетании с туннелированием и частичной термической активацией. Такая рекомбинация приводит к необычно малому показателю люксамперной характеристики gamma=0.3. Предлагаемая модель позволяет рассчитать температурные зависимости gamma при разных уровнях легирования материала и предсказывает падение эффективности легирования и рост дефектности материала при увеличении концентрации введенного бора. При повышенных температурах происходит смена механизма рекомбинации и начинает преобладать рекомбинация на границах, подчиняющаяся статистике Шокли-Рида, а при пониженных температурах преобладает туннельная рекомбинация внутри колонн. Оба механизма приводят к росту gamma до обычных значений (gamma~ 0.7).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.