Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Наблюдение ловушек неосновных носителей при нестационарной спектроскопии глубоких уровней в диодах Шоттки с высоким барьером и компенсированной приконтактной областью
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 29 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовались диоды Шоттки на основе монокристаллического селенида цинка n-типа, полученные после ионной имплантации азота и постимплантационной обработки методом радикало-лучевой эпитаксии в атомарном кислороде. На этом примере в приближении высокого барьера Шоттки и компенсированной приконтактной области проанализированы процессы, приводящие к наблюдению в исследуемых структурах ловушек неосновных носителей заряда при отрицательных напряжениях смещения. Представлена методика определения толщины компенсированной области и концентрации ловушек неосновных носителей заряда в ней. На основании результатов нестационарной спектроскопии глубоких уровней и измерений фотолюминесценции описаны механизмы дефектообразования в кристаллах селенида цинка при отжиге в атомарном кислороде.
- А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и контакты металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
- T. Ido, M. Okada. J. Cryst. Growth, 72, 170 (1985)
- M. Karai, K.Kido, H. Naito, K. Kirosawa, M. Okuda, T. Fujino, M. Kitagawa. Phys. St. Sol. (a), 117, 515 (1990)
- S. Satoh, K. Igaki. Jap. J. Appl. Phys., 19, 485 (1980)
- P. Besomi, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 53, 3076 (1982)
- H.G. Grimmeiss, N. Kullendorff. J. Appl. Phys., 51, 5852 (1980)
- B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys. Rew. B, 47, 9641 (1993)
- G. Karczewski, W. Hu, A. Yin, H. Luo, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 75, 7382 (1994)
- W.B. Leigh, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 55, 1614 (1984)
- Y. Shirakawa, H. Kukumoto. J. Appl. Phys., 51, 5859 (1980)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, ФТП, 19, 1382 (1985)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1
- L. Stolt, K. Bohlin. Sol. St. Electron., 28, 1215 (1985)
- А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, В.В. Кидалов, А.А. Георгобиани, И.В. Рогозин. Неорг. матер., 29, 1399 (1993)
- И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка: получение и оптические свойства (М., Наука, 1984)
- S. Miyamoto. Jap. J. Appl. Phys., 16, 1129 (1978)
- Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
- J. Gutowski, N.Pressler, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, 11 (1990)
- T. Ohkawa, T. Mitsuyu, O. Yamazaki. J. Cryst. Growth, 86, 329 (1988)
- J. Qui, J.M. De Puydt, H. Cheng, M.A. Haasse. Appl. Phys. Lett., 59, 2992 (1991)
- I.S. Hauksson, J. Simpson, S.Y. Wang, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., 61, 2208 (1992)
- Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук. Неорг. матер., 35, 917 (1999)
- G. Jones, G. Woods. J. Luminecs., 9, 389 (1974)
- А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, И.В. Рогозин. В.В. Кидалов. Неорг. матер., 31, 1357 (1995).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
