Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронный парамагнитный резонанс в области перехода металл--изолятор в компенсированном n-Ge : As
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Исследован электронный парамагнитный резонанс в компенсированном n-Ge : As в области перехода металл-изолятор. Обнаружено, что сигнал при 10 ГГц наблюдается с обеих сторон перехода при температурах до 100 K. В образцах с металлическим характером проводимости спектр электронного парамагнитного резонанса представляет собой одиночную линию дайсоновской формы, параметры которой изменяются с температурой. В образцах на изоляторной стороне перехода с понижением температуры дайсоновская линия превращается в лоренцову, которая ниже 4.1 K расщепляется на нормальную и аномальную (в виде ступеньки в поле, возрастающем при уменьшении температуры). В настоящее время этот эффект не находит своего удовлетворительного объяснения. Наблюдаются два механизма спиновой релаксации: на донорно-акцепторных парах и на фононах. В "металлических" образцах проявляется парамагнетизм Паули, а в "изоляторных" - парамагнетизм Кюри.
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979). [Пер. с англ. N.F. Mott. Metal--Insulator Transitions (Tailor \& Francis Ltd., London, 1974)]
- G. Feher. Phys. Rev., 114, 1219 (1959)
- D.K. Wilson. Phys. Rev. A, 134, 265 (1964)
- А.И. Вейнгер. ФТП, 1, 20 (1967)
- Б.Г. Журкин, Н.А. Пенин. ФТТ, 6, 1143 (1964)
- S. Maekawa, N. Kinoshita. J. Phys. Soc. Japan, 20, 1447 (1965)
- H. Ue, S. Maekawa. Phys. Rev. B, 3, 4232 (1971)
- K. Morigaki, S. Maekawa. J. Phys. Soc. Japan, 32, 462 (1972)
- М.В. Алексеенко, А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Письма ЖЭТФ, 39, 255 (1984)
- A.G. Zabrodskii, M.V. Alekseenko, V.A. Il'in, M.P. Timofeev, A.U. Veinger. Proc. 18th Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Stockholm, Sweden, 1986) [World Scientific Publ., 283 (1987)]
- J.D. Quirt, J.R. Marko. Phys. Rev. B, 7, 3842 (1973)
- M.A. Paalanen, S. Sachdev, R.N. Bhatt. Proc. 18th Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Stockholm, Sweden, 1986) [World Scientific Publ., 1249 (1987)]
- K. Morigaki, T. Mitsushima. J. Phys. Soc. Japan, 20, 62 (1965)
- K. Morigaki, M. Onda. J. Phys. Soc. Japan, 33, 1031 (1972)
- D.P. Tungstall, P.J. Mason, A.N. Ionov, R. Rentzsch, B. Sandow. J. Phys.: Cond. Matter., 9, 403 (1997)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. Тез. докл. XXXI совещания по физике низких температур (М., 1998) с. 48
- A.S. Kheifets, A.I. Veinger. Physica C, Supercond., 165, 491 (1990)
- С.И. Голощапов, А.И. Вейнгер, С.Г. Конников. ПТЭ, N 3, 232 (1993)
- А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
- А.Г. Забродский. ФТП, 14, 1130 (1980)
- F.J. Dyson. Phys. Rev., 98, 349 (1955)
- G. Feher, A.F. Kip. Phys. Rev., 98, 337 (1955)
- G. Feher, E.A. Gere. Phys. Rev., 114, 1245 (1959)
- A. Honig, E. Stapp. Phys. Rev., 117, 69 (1960)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика (М., Наука, 1976) т. 1, Механика
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- L.M. Roth. Phys. Rev., 114, 1534 (1960)
- Сб.: Электрические эффекты в радиоспектроскопии; электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, под ред. М.Ф. Дейгена (М., Наука, 1981)
- А.Б. Ройцин. ФТТ, 5, 151 (1961)
- M.D. Sturge, F.R. Merrit, J.C. Hensel, J.P. Remeika. Phys. Rev., 180, 402 (1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
