Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Optical spectra of wide band gap Be_xZn_1-xSe alloys

Mintairov A.M.^1,2, Peiris F.C.³, Lee S.³, Bindley U.³, Furdyna J.K.³, Raymond S.¹, Merz J.L.¹, Melehin V.G.², Sadchikov K.²

¹Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame , Notre Dame, IN, USA
²A.F. Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Department of Physics, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA

Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

PDF версия

We report optical measurements (photoluminescence, Raman scattering, and infrared reflectance) of direct band gap and of optical phonon energies of Be_xZn_1-xSe alloys grown by MBE on (001) GaAs substrates for a wide range of Be concentrations. The high band gap of BeSe (5.15 eV) suggests the possibility of using isoternary alloys for ultra-violet optoelectronic applications. And Be_xZn_1-xSe has the inuque advantage that it can be lattice matched to Si at about x=0.5. We observed a strong linear shift of the Be_xZn_1-xSe direct band gap to higher energies with increasing Be content (up to 3.63 eV for x=0.34). Furthermore, optical phonon parameters for the entire range of BeSe content have been obtained. Finally, polarized infra-red and Raman spectra revealed local atomic ordering (anti-clustering) effects in the group-II sublattice.

A. Waag, F. Fischer, H.J. Lugauer, Th. Litz, J. Laubender, U. Lunz, U. Zehneder, W. Ossau, T. Ferhardt, M. Moller, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 70, 280 (1997)
J. Gutowski, N. Presser, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, 11 (1990)
J.P. Faurie, V. Bousquet, P. Brunet, E. Tournie. J. Cryst. Growth, 184/185, 11 (1998)
B. Hennion, F. Moussa, G. Pepyand, K. Kunc. Phys. Lett. A, 36, 377 (1971)
A.M. Mintairov, H. Temkin. Phys. Rev. B, 55, 5177 (1977)
A.M. Mintairov, P.A. Blagnov, V.G. Melehin, N.N. Faleev, J.L. Merz, Y. Qiu, S.A. Nikishin, H. Temkin. Phys. Rev. B, 56, 15 836 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель