"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Виталий Иванович Стафеев ( к 70-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

1 января 1999 года исполнилось 70 лет со дня рождения и 45 лет научной, преподавательской и организационной деятельности известного ученого, профессора, доктора физико-математических наук, заслуженного деятеля науки и техники РФ, Лауреата Государственных премий СССР, действительного члена Академии технологических наук РФ Виталия Ивановича Стафеева. В.И. Стафеев родился 1 января 1929 г.. После окончания в 1952 г. физико-математического факультета университета г. Алма-Ата он был распределен в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, где проработал до 1964 г., одновременно являясь профессором кафедры физики полупроводников Ленинградского политехнического института. В 1964 г. В.И. Стафеев был назначен директором НИИ физических проблем Минэлектронпрома, долгое время заведовал кафедрой в Московском физико-техническом институте. В 1969 г. перешел работать в НИИ прикладной физики Миноборонпрома, где сначала руководил отделом, затем стал начальником отделения. С 1961 г. --- доктор физико-математических наук, с 1964 г. --- профессор, дважды Лауреат Государственной премии СССР (1982, 1988 гг.), удостоен медали академика А.А. Лебедева. В настоящее время --- главный конструктор направления матричных фотоприемников того же НИИ (ныне Государственного научного центра РФ --- Государственного унитарного предприятия "НПО Орион"), профессор Московского физико-технического института. [!t] В.И. Стафеев --- ученый широкого профиля, основоположник новых научных и научно-технических направлений. Им предложены принципы действия ряда новых полупроводниковых приборов, функциональных логических схем, устройств приема, обработки и воспроизведения изображений. Им созданы высокоэффективные сенсоры, обладающие высокой чувствительностью к магнитному полю, давлению, электромагнитному излучению. Под руководством В.И. Стафеева проведены исследования физических свойств и организовано промышленное производство нового перспективного полупроводникового материала --- твердого раствора CdHgTe; на базе этого материала разработаны и выпускаются фотодетекторы и матричные фотоприемники инфракрасного диапазона, широко используемые в различных областях науки и техники. Значительное место в научной деятельности В.И. Стафеева занимают исследования физических процессов в диэлектричесих жидкостях, в жидких кристаллах, изучение свойств молекулярных пленок, моделирование нейронов и процессов обработки информации в нейронных сетях. Им разработаны принципы функциональной микроэлектроники с использованием инжекционно-плазменной объемной связи в полупроводниковых структурах, новая схемо- и системотехника. В 1958--1959 г.г. В.И. Стафеев внес заметный вклад в начальный этап становления отечественной силовой полупроводниковой техники. Проведенные под его руководством комплексные исследования оптических явлений при разогреве электронного газа в полупроводниках привели к созданию безынжекционных полупроводниковых лазеров дальнего инфракрасного диапазона и высокочастотных модуляторов инфракрасного излучения. Научная деятельность В.И. Стафеева отражена более чем в 500 научных работах, 12 книгах, 90 изобретениях. Многие из результатов его исследований вошли в отечественные и зарубежные монографии. В.И. Стафеев --- глава научной школы. Среди его учеников 20 докторов наук, более 60 кандидатов наук, лауреаты Государственных премий СССР. Они успешно работают во многих городах России и других стран бывшего СССР. В.И. Стафеев ведет активную научно-организационную деятельность. Им был организован выпуск научно-технического сборника Микроэлектроника, он был одним из участников организации выпуска журнала Микроэлектроника, главным редактором 22-ой серии ВОТ Микроэлектроника, членом редколлегии журналов Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, членом Экспертного совета ВАК, членом Экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным премиям СССР, заместителем председателя секции "Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника", председателем секции микроэлектроники совета "Физика и химия полупроводников", организатором и членом оргкомитетов многих научных конференций, симпозиумов, семинаров. Поздравляя Виталия Ивановича Стафеева с юбилеем, желаем ему здоровья и долгих лет плодотворной научной деятельности. [!h] = @-37mmr@ Ж.И. Алферов, Л.А. Бовина, В.И. Иванов-Омский, Л.Е. Воробьев
  • Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, В.М. Андреев и др. ФТП, 12, 1054 (1978)
  • P.D. Dapkus, C.H. Henry. Appl. Phys., 47, 4061 (1976)
  • B. Rheinlander, G. Oelgart, H. Halfner et al. Phys. St. Sol. (a), 87, 373 (1985)
  • Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
  • Т.В. Торчинская, Т.Г. Бердинских, А.Г. Корабаев. ЖТФ, 59, вып.18, 134 (1989)
  • В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981) гл. 8, с. 316
  • Г.А. Сукач. ФТП, 31, 753 (1997)
  • А.А. Птащенко. ЖПС, 33, 781 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.