"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Виталий Иванович Стафеев ( к 70-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

1 января 1999 года исполнилось 70 лет со дня рождения и 45 лет научной, преподавательской и организационной деятельности известного ученого, профессора, доктора физико-математических наук, заслуженного деятеля науки и техники РФ, Лауреата Государственных премий СССР, действительного члена Академии технологических наук РФ Виталия Ивановича Стафеева. В.И. Стафеев родился 1 января 1929 г.. После окончания в 1952 г. физико-математического факультета университета г. Алма-Ата он был распределен в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, где проработал до 1964 г., одновременно являясь профессором кафедры физики полупроводников Ленинградского политехнического института. В 1964 г. В.И. Стафеев был назначен директором НИИ физических проблем Минэлектронпрома, долгое время заведовал кафедрой в Московском физико-техническом институте. В 1969 г. перешел работать в НИИ прикладной физики Миноборонпрома, где сначала руководил отделом, затем стал начальником отделения. С 1961 г. --- доктор физико-математических наук, с 1964 г. --- профессор, дважды Лауреат Государственной премии СССР (1982, 1988 гг.), удостоен медали академика А.А. Лебедева. В настоящее время --- главный конструктор направления матричных фотоприемников того же НИИ (ныне Государственного научного центра РФ --- Государственного унитарного предприятия "НПО Орион"), профессор Московского физико-технического института. [!t] В.И. Стафеев --- ученый широкого профиля, основоположник новых научных и научно-технических направлений. Им предложены принципы действия ряда новых полупроводниковых приборов, функциональных логических схем, устройств приема, обработки и воспроизведения изображений. Им созданы высокоэффективные сенсоры, обладающие высокой чувствительностью к магнитному полю, давлению, электромагнитному излучению. Под руководством В.И. Стафеева проведены исследования физических свойств и организовано промышленное производство нового перспективного полупроводникового материала --- твердого раствора CdHgTe; на базе этого материала разработаны и выпускаются фотодетекторы и матричные фотоприемники инфракрасного диапазона, широко используемые в различных областях науки и техники. Значительное место в научной деятельности В.И. Стафеева занимают исследования физических процессов в диэлектричесих жидкостях, в жидких кристаллах, изучение свойств молекулярных пленок, моделирование нейронов и процессов обработки информации в нейронных сетях. Им разработаны принципы функциональной микроэлектроники с использованием инжекционно-плазменной объемной связи в полупроводниковых структурах, новая схемо- и системотехника. В 1958--1959 г.г. В.И. Стафеев внес заметный вклад в начальный этап становления отечественной силовой полупроводниковой техники. Проведенные под его руководством комплексные исследования оптических явлений при разогреве электронного газа в полупроводниках привели к созданию безынжекционных полупроводниковых лазеров дальнего инфракрасного диапазона и высокочастотных модуляторов инфракрасного излучения. Научная деятельность В.И. Стафеева отражена более чем в 500 научных работах, 12 книгах, 90 изобретениях. Многие из результатов его исследований вошли в отечественные и зарубежные монографии. В.И. Стафеев --- глава научной школы. Среди его учеников 20 докторов наук, более 60 кандидатов наук, лауреаты Государственных премий СССР. Они успешно работают во многих городах России и других стран бывшего СССР. В.И. Стафеев ведет активную научно-организационную деятельность. Им был организован выпуск научно-технического сборника Микроэлектроника, он был одним из участников организации выпуска журнала Микроэлектроника, главным редактором 22-ой серии ВОТ Микроэлектроника, членом редколлегии журналов Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, членом Экспертного совета ВАК, членом Экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным премиям СССР, заместителем председателя секции "Узкозонные полупроводники и фотоэлектроника", председателем секции микроэлектроники совета "Физика и химия полупроводников", организатором и членом оргкомитетов многих научных конференций, симпозиумов, семинаров. Поздравляя Виталия Ивановича Стафеева с юбилеем, желаем ему здоровья и долгих лет плодотворной научной деятельности. [!h] = @-37mmr@ Ж.И. Алферов, Л.А. Бовина, В.И. Иванов-Омский, Л.Е. Воробьев
  1. Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, В.М. Андреев и др. ФТП, 12, 1054 (1978)
  2. P.D. Dapkus, C.H. Henry. Appl. Phys., 47, 4061 (1976)
  3. B. Rheinlander, G. Oelgart, H. Halfner et al. Phys. St. Sol. (a), 87, 373 (1985)
  4. Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
  5. Т.В. Торчинская, Т.Г. Бердинских, А.Г. Корабаев. ЖТФ, 59, вып.18, 134 (1989)
  6. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981) гл. 8, с. 316
  7. Г.А. Сукач. ФТП, 31, 753 (1997)
  8. А.А. Птащенко. ЖПС, 33, 781 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.