"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции Er (1.54 мкм) в пленках a-Si : H, легированных эрбием
Кудоярова В.Х.1, Кузнецов А.Н.1, Теруков Е.И.1, Гусев О.Б.1, Кудрявцев Ю.А.1, Бер Б.Я.1, Гусинский Г.М.1, Fuhs W.2, Weiser G.3, Kuehne H.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Hahn-Meitner Institut, Berlin, Germany
3Fachbereich Physick Philipps Universitat, Marburg, Germany
Поступила в редакцию: 22 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.
  1. P.N. Favennec, H.L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gaunean. Japan. J. Appl. Phys., 29, L.524 (1990)
  2. P.N. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poaste, L.C. Kimerbing. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
  3. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
  4. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.I. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yasievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  5. O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, M.S. Bresler, V.Kh. Kudoyarova, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs. Appl. Phys. Lett., 70, 240 (1997)
  6. V. Marakhonov, N. Rogachev, J. Ishkalov, J. Makakhonov, E. Terukov, V. Chelnokov. J. Non-Cryst. Sol., 137/138, 817 (1991)
  7. Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1, б, с. 286
  8. A. Polman, G.N. van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 77, 1256 (1995)
  9. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 22, 12, 960 (1996)
  10. F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie, D. Carey. J. Appl. Phys., 78, 3874 (1995)
  11. J.H. Shin, R. Serna, van den Hoven, A. Polman, W.G.H.M. van Sark, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
  12. D.J. Eaglesham, J. Michel, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poarte, J.L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 58, 2797 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.