"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кислорода на интенсивность фотолюминесценции Er (1.54 мкм) в пленках a-Si : H, легированных эрбием
Кудоярова В.Х.1, Кузнецов А.Н.1, Теруков Е.И.1, Гусев О.Б.1, Кудрявцев Ю.А.1, Бер Б.Я.1, Гусинский Г.М.1, Fuhs W.2, Weiser G.3, Kuehne H.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Hahn-Meitner Institut, Berlin, Germany
3Fachbereich Physick Philipps Universitat, Marburg, Germany
Поступила в редакцию: 22 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Исследовано влияние кислорода на фотолюминесценцию эрбия (ФЛ Er, 1.54 мкм) в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном эрбием. Пленки a-Si : H<Er> были изготовлены совместным распылением мишеней Si и Er с применением технологии разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. Концентрация кислорода изменялась путем увеличения парциального давления кислорода в камере и изменялась от 1019 до 1021 см-3. Показано, что, как в случае кристаллического кремния, легированного эрбием (c-Si<Er>), кислород оказывает влияние на интенсивность 1.54 мкм ФЛ в пленках a-Si : H<Er>. Значение концентраций эрбия и кислорода, при которых наблюдается максимальная интенсивность ФЛ Er, на 2 порядка выше, чем в кристаллическом кремнии. Увеличение интенсивности ФЛ Er при комнатной температуре и более слабая температурная зависимость ФЛ Er по сравнению с c-Si<Er,O> свидетельствуют о перспективе использования пленок a-Si : H<Er> для оптоэлектронных применений.
  • P.N. Favennec, H.L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gaunean. Japan. J. Appl. Phys., 29, L.524 (1990)
  • P.N. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poaste, L.C. Kimerbing. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
  • S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
  • M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.I. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yasievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  • O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, M.S. Bresler, V.Kh. Kudoyarova, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs. Appl. Phys. Lett., 70, 240 (1997)
  • V. Marakhonov, N. Rogachev, J. Ishkalov, J. Makakhonov, E. Terukov, V. Chelnokov. J. Non-Cryst. Sol., 137/138, 817 (1991)
  • Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1, б, с. 286
  • A. Polman, G.N. van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 77, 1256 (1995)
  • В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 22, 12, 960 (1996)
  • F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie, D. Carey. J. Appl. Phys., 78, 3874 (1995)
  • J.H. Shin, R. Serna, van den Hoven, A. Polman, W.G.H.M. van Sark, A.M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
  • D.J. Eaglesham, J. Michel, E.A. Fitzgerald, D.C. Jacobson, J.M. Poarte, J.L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 58, 2797 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.