Работа посвящена фундаментальным потерям в негенерирующей (остаточной) части многопереходных солнечных элементов. Предложен и обоснован метод определения вольт-амперной характеристики остаточной части солнечных элементов. Метод является обобщением метода, пригодного для однопереходных фотоэлектрических преобразователей. В работе произведен учет дисбаланса фотогенерированных токов и люминесцентной связи между субэлементами, что позволяет использовать предлагаемый метод и для многопереходных солнечных элементов. Метод применен к однопереходным (InGaP, GaAs, Ge) и трехпереходным солнечным элементам (InGaP/GaAs/Ge). Выявлено два вида вольт-амперных характеристик J(V), для которых установлены эмпирические законы. Первый вид отличается монотонной сверхлинейностью J propto Vⁿ, n~ 1.3-1.4, и обусловлен сопротивлением растекания, второй вид наблюдался только в трехпереходных солнечных элементах и характеризуется двухэкспоненциальной зависимостью с наличием сублинейности на начальном участке, J propto [e^(V/E₁)-e^(-V/E₂)], E₁~ 0.35B, E₂~ 0.15-0.30B. В результате удалось установить, что токопрохождение в остаточной части многопереходных солнечных элементов лимитируется не только сопротивлением растекания, но и другими факторами, например, изотипными гетероинтерфейсами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.