Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов

Клочко Н.П.¹, Хрипунов Г.С.¹, Волкова Н.Д.², Копач В.Р.¹, Момотенко А.В.¹, Любов В.Н.¹

¹Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

National Technical University “Kharkiv Polytechnic Institute”, Kharkiv, Ukraine

²Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт", Харьков, Украина

Поступила в редакцию: 14 февраля 2013 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты сравнительного анализа структуры и морфологии поверхности пленок меди, индия, олова, цинка и их слоевых композиций, изготовленных путем электрохимического осаждения в гальваностатическом стационарном режиме, в гальваностатическом режиме с ультразвуковым перемешиванием электролитов, в прямом импульсном и реверсивном импульсном режимах с прямоугольной формой импульсов потенциала. Изучено влияние режимов электроосаждения на структуру, оптические свойства и морфологию поверхности аморфных и кристаллических пленок селена. Путем последовательного электрохимического осаждения изготовлены пленочные композиции Cu/In/Se и Cu/Sn/Zn/Se, являющиеся моделями прекурсоров халькопирита CuInSe₂ и кестерита соответственно. Такие прекурсоры после их преобразования путем последующих отжигов в полупроводниковые материалы CuInSe₂ и Cu₂ZnSnSe₄ будут использованы в качестве базовых слоев дешевых и эффективных тонкопленочных солнечных элементов нового поколения.

C.J. Huang, T.H. Meen, M.Y. Lai, W.R. Chen. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 82, 553 (2004)
H. Wang. Int. J. Photoenergy, 2011, ID 801 292 (2011)
http: // www.compoundsemiconductor.net
A. Romeo, M. Terheggen, D. Abou-Ras, D.L. Batzner, F.-J. Haug, M. Kalin, D. Rudmann, A.N. Tiwari. J. Progr. Photovolt., 12, 93 (2004)
T. Todorov, M. Kita, J. Carda, P. Escribano. Thin Sol. Films, 517, 2541 (2009)
F. Liu, Z. Zhang, J. Li, Y. Liu. J. Mater. Sci. Technol., 25, 243 (2009)
B.S. Pawar, S.M. Pawar, K.V. Gurav, S.W. Shin, J.Y. Lee, S.S. Kolekar, J.H. Kim. ISRN Renewable Energy, 2011, ID 934 575 (2011)
J.J. Scragg, P.J. Dale, L.M. Peter. Electrochem. Commun., 10, 639 (2008)
H. Araki, Y. Kubo, A. Mikaduki, K. Jimbo, W. Maw, H. Katagiri, M. Yamazaki, K. Oishi, A. Takeuchi. Solar Energy Mater. \& Solar Cells, 93, 996 (2009)
N.P. Klochko, G.S. Khrypunov, N.D. Volkova, V.R. Kopach, V.M. Lyubov, O.V. Momotenko, A.V. Kopach. Functional Mater., 18, 328 (2011)
F. Liu, Y. Lu, Z. Zhang, Y. Lai, J. Li, Y. Liu. Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 18, 884 (2008)
Y. Wang, H. Nie, S. Guo. Rare Metals, 29, 519 (2010)
X.-L. Wang, G.-J. Wang, B.-L. Tian, S.-M. Wan, Z.-L. Du. Chinese Sci. Bulletin, 55, 1854 (2010)
L. Jun, L. Changqing, P. Conway. Eleсtronic Components and Technology Conf. (Reno, NV, 2007) p. 892
T. Yingtao, L. Changqing, D. Hutt. Electronic Components and Technology Conf. (Lake Buenna Vista, FL, 2008) p. 2096
A. Mallik, B. Ray. Thin Sol. Films, 517, 6612 (2009)
В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1978)
М.П. Шаскольская. Кристаллография (М., Высш. шк., 1984)
Т.В. Панова, В.И. Блинов. Определение индексов отражающих плоскостей: Описание лабораторной работы по курсу "Рентгеноструктурный анализ" (Омск, Омск. гос. ун-т, 2004)
Л.С. Палатник. Структура и физические свойства твердого тела. Лабораторный практикум: Учеб. пособие (Киев, Вища шк., 1983)
А.К. Штольц, А.И. Медведев, Л.В. Курбатов. Рентгеновский анализ микронапряжений и размера областей когерентного рассеяния в поликристаллических материалах: Учебное электронное текстовое издание (Екатеринбург, ГОУ-ВПО УГТУ-УПИ, 2005)
Н.П. Клочко, Г.С. Хрипунов, Ю.А. Мягченко, Е.Е. Мельничук, В.Р. Копач, Е.С. Клепикова, В.Н.Любов, А.В. Копач. ФТП, 46, 845 (2012), [Semiconductors, 46, 825 (2012)]
W.C. Tan. Оptical properties of amorphous selenium films (University of Saskatchewan, Saskatoon, Canada, S7N 5A9, 2006)
B. Pejova, I. Grozdanov. Appl. Surf. Sci., 177, 152 (2001)
M.J. Weber. Handbook of optical materials (СRC PRESS, 2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель