Вышедшие номера
Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов
Клочко Н.П.1, Хрипунов Г.С.1, Волкова Н.Д.2, Копач В.Р.1, Момотенко А.В.1, Любов В.Н.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт", Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 14 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Представлены результаты сравнительного анализа структуры и морфологии поверхности пленок меди, индия, олова, цинка и их слоевых композиций, изготовленных путем электрохимического осаждения в гальваностатическом стационарном режиме, в гальваностатическом режиме с ультразвуковым перемешиванием электролитов, в прямом импульсном и реверсивном импульсном режимах с прямоугольной формой импульсов потенциала. Изучено влияние режимов электроосаждения на структуру, оптические свойства и морфологию поверхности аморфных и кристаллических пленок селена. Путем последовательного электрохимического осаждения изготовлены пленочные композиции Cu/In/Se и Cu/Sn/Zn/Se, являющиеся моделями прекурсоров халькопирита CuInSe2 и кестерита соответственно. Такие прекурсоры после их преобразования путем последующих отжигов в полупроводниковые материалы CuInSe2 и Cu2ZnSnSe4 будут использованы в качестве базовых слоев дешевых и эффективных тонкопленочных солнечных элементов нового поколения.