Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
Разработана количественная модель поведения МОП структур при ионизирующем облучении, базирующаяся на захвате дырок водородосодержащими ловушками. Часть довушек заряжается, образуя положительный объемный заряд в диэлектрике. Другая часть распадается с освобождением положительных ионов водорода, которые мигрируют в электрическом поле диэлектрика к межфазной границе с полупроводиником, где приводят к депассивации поверхностных состояний. Учитывается заряжение поверхностных состояний как в процессе облучения, так и при измерении порогового напряжения.
- Ф.П. Коршунов, Ю В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
- T.R. Oldham. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
- H.L. Hughes, J.M. Benedetto. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 500 (2003)
- В.А. Гуртов. Твердотельная электроника (М., Техносфера, 2008) с. 67
- P.M. Lenahan. P.V. Dressendorfer. Appl. Phys., 55, 3495 (1984)
- B.B. Triplett, T. Takahashi, T. Sugano. Appl. Phys. Lett., 50, 1163 (1987)
- V.V. Afanas'ev, A.J. Stesmans. Phys.: Condens Matter., 12, 2285 (2000)
- V.V. Afanas'ev, G.J. Andriaenssens, A.J. Stesmans. Microelectron. Eng., 59, 85 (2001)
- A. Rivera, A. van Veen, J.M.M. de Nijs, P. Balk. Sol. St. Electron., 46, 1775 (2002)
- Y. Nishi. Jpn. J. Appl. Phys., 10, 52 (1971)
- E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63, 1510 (1993)
- D.L. Griscom. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
- A.G. Revesz. Electrochem. Soc., 126, 122 (1979)
- B.J. Mrstik, R.W. Bendell. J. Appl. Phys., 59, 3012 (1991)
- F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-27 (6), 1651 (1980)
- М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, В.А. Макаренко, В.Р. Гитлин. Микроэлектроника, 35 (6), 382 (2006)
- М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, Е.В. Бондаренко, В.Р. Гитлин, В.А. Макаренко, А.Е. Бормонтов. Вестн. ВГУ. Сер. Физика и математика, N 2, 30 (2008)
- S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron. Dev., 11 (11), 749 (1967)
- J.M. Benedetto, H.E. Boech. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1318 (1986)
- R.J. Krantz, L.W. Aulerman, T.C. Sietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
- H.E. Boech, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1191 (1986)
- N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35 (6), 1234 (1988)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
- А.М. Емельянов. ФТТ, 52 (6), 1060 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
