Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероструктуры Si_1-xGe_x/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире

Денисов С.А.^1,2, Матвеев С.А.¹, Чалков В.Ю.¹, Шенгуров В.Г.^1,2, Дроздов Ю.Н.¹, Степихова М.В.², Шенгуров Д.В.², Красильник З.Ф.²

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 11 июня 2013 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Продемонстрирован рост гетероструктур со слоями Si_1-xGe_x на подложках сапфира (1102) при использовании метода молекулярно-пучковой эпитаксии с сублимационным источником кремния и газовым (GeH₄) источником германия. Систематические исследования влияния температуры подложки и толщины буферного слоя кремния показали, что успешный рост эпитаксиальных слоев Si_1-xGe_x происходит при T_S= 375-400^oC. Имеются значительные различия в ориентации слоев Si_{1- x}Ge_x в зависимости от толщины буферного слоя Si: d ≥ 100 нм. Они имеют ориентацию (100), а при более тонких - (110). Гетероструктуры с толстыми (~1 мкм) слоями Si_1-xGe_x, легированными атомами эрбия, характеризуются интенсивной фотолюминесценцией на lambda = 1.54 мкм.

K. Ismail. IEDM Techn. Digest., 509 (1995)
U. Konig, M. Gluck, G. Hock. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2609 (1998)
S.J. Koester, R. Hammond, J.O. Chu, P.M. Mooney, J.A. Ott, L. Perraud, K.A. Jenkins, C.S. Webster, I. Lagnado, P.R. de la Houssaye. IEEE Electron. Dev. Lett., 22 (2), 92 (2001)
P.M. Mooney, J.O. Chu, J.A. Ott. J. Electron. Mater., 29 (7), 921 (2000)
J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35 (8), 954 (2001)
R.A. Soref, F. Namavar, J.P. Lorenzo. Optics Lett., 15, 270 (1990)
F. Namavar, R.A. Soref. J. Appl. Phys., 70, 3370 (1991)
M.V. Stepikhova, L.V. Krasil'nikova, Z.F. Krasil'nik, V.G. Shengurov, V.Yu. Chalkov, S.P. Svetlov, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. J. Cryst. Growth, 288, 65 (2006)
М.В. Степихова, Д.М. Жигунов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Тимошенко, Л.В. Красильникова, В.Ю. Чалков, С.П. Светлов, О.А. Шалыгина, П.К. Кашкаров, З.Ф. Красильник. Письма ЖЭТФ, 81, 614 (2005)
С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Cер. физ., 65 (2), 204 (2001)
Л.В. Красильникова, М.В. Степихова, Н.А. Байдакова, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ФТП, 43 (7), 909 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель