Вышедшие номера
Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdSe в области низких температур
Шалдин Ю.В.1, Матыясик С.2, Давыдов А.А.3, Жаворонков Н.В.3
1Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, 53-421Wroclaw, Poland
3Научно-исследовательский институт материалов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

В области температур T=4.2-300 K выполнены измерения спонтанной поляризации нестехиометрических образцов CdSe, выращенных методом сублимации при 1423 K и подвергнутых отжигу в парах селена. По этим даным рассчитаны температурные зависимости пироэлектрического коэффициента в CdSe. Обнаружены аномалии в областях T<10 K и T>210 K. Изменение зарядового состояния дефектной подсистемы образцов, вызванное слабым электрическим полем, привело к усилению аномалий и появлению новой аномалии при T=236 K. Как правило, аномалии при T<10 K и T=236 K зависят от полярности внешнего воздействия. Шунтирующее действие собственной проводимости образца проявляется только в области выше 270 K. Исследования образца неполярного среза приводят к несколько неожиданным результатам: аномалии сохраняются, но их величины значительно уменьшаются. В рамках кристаллофизического подхода предприняты попытки объяснить аномалии, наблюдаемые ниже 270 K, как за счет ассоциатов, обладающих дипольным моментом, так и трансформацией последних с возможным участием неконтролируемой примеси кислорода в макрообразования типа кластера, ориентация суммарного дипольного момента которого не совпадает с полярным направлением идеального кристалла.