"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga--Bi растворителя
Чалдышев В.В.1, Якушева Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследованы электрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция слоев n-GaAs< Sn>, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого, висмутового и смешанных галлий-висмутовых растворителей при различных температурах и ориентациях подложки. Показано, что концентрация мелких доноров Sn увеличивается при повышении температуры роста, а также при увеличении содержания висмута в составе растворителя и при переходе от ориентации подложки (100) к (111) B. В спектрах фотолюминесценции обнаружены линии, связанные с глубокими акцепторами Sn. Показано, что концентрация компенсирующих акцепторов квадратично увеличивается с повышением концентрации свободных электронов и уменьшается при понижении температуры роста и при введении висмута в растворитель. Слои с минимальной концентрацией глубоких акцепторов Sn получены эпитаксией из чисто висмутового растворителя при температуре 700 oC. Построена термодинамическая модель формирования глубоких компенсирующих акцепторов, позволяющая объяснить наблюдаемые явления. Построенная модель предполагает захват в растущий кристалл двухатомной молекулы олова с последующим переходом одного из атомов Sn в междоузлие.
  • В.В. Чалдышев, Н.А. Якушева. ФТП, 23, 44 (1989)
  • В.В. Чалдышев, Н.А. Якушева. ФТП, 23, 221 (1989)
  • N.A. Yakusheva, V.G. Pogadaev. Cryst. Res. Technol., 27, 21 (1992)
  • Ю.Ф. Бирюлин, В.В. Воробьева, В.Г. Голубев, Л.В. Голубев, В.И. Иванов-Омский, С.В. Новиков, А.В. Осутин, И.Г. Савельев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, О.В. Ярошевич. ФТП, 21, 2201 (1987)
  • N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
  • А. Берг, П. Дин. \it Светодиоды (М., Мир, 1979) [A.A. Bergh, P.J. Dean Light-emitting Diodes (Charendon Press, Oxford, 1976)]
  • J. De-Sheng, Y. Makita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 53, 999 (1982)
  • W. Shairer, D. Bimberg, W. Kottler, K. Cho, M. Schmidt. Phys. Rev. B., 13, 3452 (1976)
  • E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  • S. Zemon, M.O. Vassel, G. Lambert, R.H. Bartram. J. Appl. Phys., 60, 4253 (1986)
  • И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, Л.П. Пороховниченко, М.П. Рузайкин, В.Н. Рязанов. Изв. вузов. Физика, 33, 37 (1990)
  • И.А. Бобровникова, М.Д. Вилисова, О.М. Ивлева, В.А. Московкин, Л.П. Пороховниченко, М.В. Туршатова. Изв. вузов. Физика, 32, 54 (1989)
  • Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 2 [H.C. Casey, M.B. Panish. Heterostructure lasers (Academic Press, 1978) pt. B.]
  • Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б. Уфимцев. Кристаллография, 33, 464 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.