Исследованы электрические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция слоев n-GaAs< Sn>, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из галлиевого, висмутового и смешанных галлий-висмутовых растворителей при различных температурах и ориентациях подложки. Показано, что концентрация мелких доноров Sn увеличивается при повышении температуры роста, а также при увеличении содержания висмута в составе растворителя и при переходе от ориентации подложки (100) к (111) B. В спектрах фотолюминесценции обнаружены линии, связанные с глубокими акцепторами Sn. Показано, что концентрация компенсирующих акцепторов квадратично увеличивается с повышением концентрации свободных электронов и уменьшается при понижении температуры роста и при введении висмута в растворитель. Слои с минимальной концентрацией глубоких акцепторов Sn получены эпитаксией из чисто висмутового растворителя при температуре 700 ^oC. Построена термодинамическая модель формирования глубоких компенсирующих акцепторов, позволяющая объяснить наблюдаемые явления. Построенная модель предполагает захват в растущий кристалл двухатомной молекулы олова с последующим переходом одного из атомов Sn в междоузлие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.