Емкостными методами исследованы монокристаллы Лели и эпитаксиальные слои 6H-SiC n-типа, компенсированные бором путем диффузии. С помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней наблюдались два акцепторных центра типа B и D, создаваемых бором в карбиде кремния. Энергия активации центров, оцененная по спектрам фотоемкости, составила ~=0.35 эВ для B-центра и ~= 0.75 эВ для D-центра. Суммарная концентрация центров была сопоставима с концентрацией внедренных атомов бора, в то время как их относительные концентрации сильно зависели от технологии выращивания кристаллов и уровня исходного легирования донорной примесью (азотом). Отмечается однозначное соответствие между относительной концентрацией наблюдаемых центров и люминесцентными свойствами образцов. Установлено, что эффективная высокотемпературная люминесценция наблюдается в образцах, в которых D-центры преобладают. Показано, что термический отжиг при температуре выше 2300^o C приводит к резкому уменьшению концентрации D-центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.