Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование зона-зонной подсветки для определения параметров уровней в методе шумовой спектроскопии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
Проанализировано влияние зона-зонной подсветки на генерационно-рекомбинационный шум, обусловленный наличием локального уровня в запрещенной зоне полупроводника. Показано, что зона-зонная подсветка, создающая в объеме полупроводника подвижные неосновные носители, позволяет непосредственно судить о том, зависит ли сечение захвата носителей sigma от температуры экспоненциально (sigma=sigma0exp(E1/kT) ). В случае экспоненциальной зависимости сечения от температуры зона-зонная подсветка позволяет определить параметры уровня даже для случая, когда энергия активации E1 значительно больше, чем глубина залегания уровня E0. В этом случае (E1>> E0) обычные методы обработки данных шумовых измерений позволяют (без использования подсветки) определить только значение E1. Для предельных случаев, когда исследуемый уровень лежит значительно ниже уровня Ферми EF (E0-EF>> kT) или значительно выше (EF-E0>> kT), предложены простые аналитические выражения, описывающие влияние подсветки на уровень шума. Проделаны численные расчеты, подтверждающие справедливость полученных аналитических выражений.
- J.A. Copeland. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-18, 50 (1971)
- J. Magarshack, A. Mircea, A. Roussel. Acta Electron., 15, 233 (1972)
- З.Л. Шоблицкас, В.П. Паленскис. Лит. физ. сб., 35, 88 (1985)
- Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 355 (1991)
- Н.Б. Лукьянчикова. Лит. физ. сб., 20, 25 (1980)
- J.R. Kirtley, T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. J. Appl. Phys., 63, 1541 (1986)
- D. Sodini, A. Touboul, G. Lecoy, M. Savelli. Electron. Lett., 12, 42 (1976)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Semicond. Sci. Techn. (1994) (в печати)
- F.J. Scholz, J.W. Roach. Sol. St. Electron., 35, 447 (1992)
- K. Kandiah. \it Proc. 8th Int. Conf. on "Noise in Phys. Syst" and 4th Int. Conf. on "1/f Noise" (Rome, 1985) p. 19
- D.C. Murray, A.G.R. Evans, J.C. Curter. IEEE Trans. Electron Dev., ED-38, 407 (1991)
- Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 2065 (1991)
- Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн. ФТП, 23, 283 (1989)
- В.М. Ботнарюк, Ю.В. Жиляев, А.Г. Кечек, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, М.И. Шульга. Письма в ЖТФ, 14, 181 (1988)
- G.A. Acket, J.J. Scheer. Sol. St. Electron., 14, 167 (1971)
- М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. Письма в ЖТФ, 19, 55 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
