Вышедшие номера
Использование зона-зонной подсветки для определения параметров уровней в методе шумовой спектроскопии
Левинштейн М.Е.1, Румянцев С.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Проанализировано влияние зона-зонной подсветки на генерационно-рекомбинационный шум, обусловленный наличием локального уровня в запрещенной зоне полупроводника. Показано, что зона-зонная подсветка, создающая в объеме полупроводника подвижные неосновные носители, позволяет непосредственно судить о том, зависит ли сечение захвата носителей sigma от температуры экспоненциально (sigma=sigma0exp(E1/kT) ). В случае экспоненциальной зависимости сечения от температуры зона-зонная подсветка позволяет определить параметры уровня даже для случая, когда энергия активации E1 значительно больше, чем глубина залегания уровня E0. В этом случае (E1>> E0) обычные методы обработки данных шумовых измерений позволяют (без использования подсветки) определить только значение E1. Для предельных случаев, когда исследуемый уровень лежит значительно ниже уровня Ферми EF (E0-EF>> kT) или значительно выше (EF-E0>> kT), предложены простые аналитические выражения, описывающие влияние подсветки на уровень шума. Проделаны численные расчеты, подтверждающие справедливость полученных аналитических выражений.