Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре

Соболев Н.А.¹, Калядин А.Е.¹, Шек И.Е.¹, Сахаров В.И.¹, Серенков И.Т.¹, Вдовин В.И.², Паршин Е.О.³, Маковийчук М.И.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

Fock Institute of Physics, St.Petersburg State University, Petergof, Russia

³Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры фотолюминесценции в кремнии n-типа проводимости после имплантации ионов эрбия при 600^oC и ионов кислорода при комнатной температуре и последующих отжигов при 1100^oC в хлорсодержащей атмосфере. В зависимости от длительности отжигов в спектрах фотолюминесценции при 80 K доминируют линии люминесценции ионов Er³⁺ или дислокационной люминесценции. Обнаруженный при этой температуре коротковолновый сдвиг линии дислокационной люминесценции обусловлен проведением имплантации ионов эрбия при повышенной температуре. При комнатной температуре в спектрах наблюдаются линии эрбиевой и дислокационной люминесценции, но доминируют линии краевой люминесценции.

A.J. Kenyon. Semicond. Sci. Technol., 20, R65 (2005)
Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. MRS Bulletin, 23, 25 (1998)
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, В.Л. Суханов, Е.И. Шек. ФТП, 41, 635 (2007)
N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. Appl. Phys. Lett., 72, 3326 (1998)
E. Rimini. Ion Implantation: Basics to Device Fabrication (Kluwer Academic Publishers, Boston, 1995)
S. Takeda. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L639 (1991)
F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Camera, B. Bellany. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
Н.А. Соболев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, М.И. Миковийчук, Е.О. Паршин, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1995 (1994)
Э.А. Штейнман. ФТТ, 47, 9 (2005)
V. Kveder, M. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov. Phys. Status Solidi A, 202, 901 (2005)
E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель