ФТП, 2010, том 44, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs):
создание и свойства

Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь\kern1pt*, Ю.В.Рудь\kern1pt, Е.И.Теруков,
Н.М.Геллер\kern1pt+, А.Г.Иванов\kern1pt+, В.В.Шаманин\kern1pt+

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук,
199004 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 июля 2009 г. Принята к печати 18 августа 2009 г.)

Предложена и реализована атермическая безвакуумная технология и впервые созданы гетеропереходы неклассически полисопряженные полисалицилиденазометины/Si (GaAs). Установлено, что максимальная фоточувствительность полученных гетеропереходов достигается при их освещении со стороны тонких пленок полимеров в спектральном диапазоне 1-3.5 эВ. Сделан вывод о возможности применения новых гетеропереходов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.

 PDF версия (574Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster