ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния
при формировании омических контактов

О.В.Александров\kern1pt, В.В.Козловский\kern1pt*

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет << ЛЭТИ>>,
197376 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 6 ноября 2008 г. Принята к печати 17 ноября 2008 г.)

Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температурой происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов --- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций --- с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема.

PACS: 61.80.Jh, 68.35.Dv, 68.35.Fx, 68.55.Jk, 68.55.Nq, 73.40.Cg

 PDF версия (210Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster