ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Вариация края поглощения света в пленках SiNx
с кластерами кремния

М.Д.Ефремов, В.А.Володин, Д.В.Марин, С.А.Аржанникова,
Г.Н.Камаев, С.А.Кочубей, А.А.Попов\kern1pt*

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт микроэлектроники и информатики,
Ярославль, Россия

(Получена 24 мая 2007 г. Принята к печати 6 июня 2007 г.)

С помощью оптических методов исследования получены данные об оптических константах пленок нитрида кремния, синтезированных методом плазмохимического осаждения. Рассмотрены модели расчета диэлектрической проницаемости в концепции неоднородной смеси фаз кремния и нитрида кремния. Обнаружено, что край поглощения света (Eg) и максимум пика фотолюминесценции сдвигаются в красную область спектра с уменьшением атомной доли азота в пленках SiNx. При приближении x к значению 4/3, характерному для стехиометрического нитрида кремния Si3N4, наблюдается нелинейное, резкое увеличение Eg. Методом комбинационного рассеяния света обнаружено наличие связей Si-Si, что подтверждает формирование кластеров кремния непосредственно в процессе осаждения пленок. Установлена взаимосвязь состава нестехиометричных пленок нитрида кремния, значений диэлектрической проницаемости и ширины оптической зоны пропускания света.

PACS: 61.43.Dq, 64.70.Nd, 78.20.Ci, 81.05.Ge

 PDF версия (261Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster