ФТП, 2007, том 41, выпуск 9ФТП, 2007, том 41, выпуск 9| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Алексеев А.Н., Бырназ А.Э., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Соколов М.А., Степанов М.В., Шкурко А.П., Чалый В.П. Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN--AlN | 1025 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Брудный В.Н., Колин Н.Г., Смирнов Л.С. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках | 1031 |
| Парфенов О.Е., Шклярук Ф.А. О температурной зависимости термоэдс неупорядоченных полупроводников | 1041 |
| Алиев С.А., Агаев З.Ф., Зульфигаров Э.И. Явление переноса заряда в халькогенидах серебра в области фазового превращения | 1046 |
| Седов В.Е., Матвеев О.А., Терентьев А.И., Зеленина Н.К. К вопросу о происхождении полосы 1 эВ в фотолюминесценции CdZnTe | 1051 |
| Скипетров Е.П., Пакпур Ф.А., Пичугин Н.А., Слынько В.Е. Переход металл--диэлектрик в сплавах Te, легированных хромом | 1053 |
| Ромака В.А., Стаднык Ю.В., Ромака В.В., Fruchart D., Гореленко Ю.К., Чекурин В.Ф., Горынь А.М. Особенности проводимости сильно легированного акцепторной примесью In интерметаллического полупроводника -ZrNiSn | 1059 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Александров О.В., Криворучко А.А. Обратная диффузия примеси по механизму вытеснения в процессе геттерирования | 1066 |
| Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Нетяга В.В. Исследование изотипных фоточувствительных гетероструктур (собственный окисел)-InSe, полученных длительным термическим окислением | 1074 |
| Низкоразмерные системы | |
| Авакянц Л.П., Бадгутдинов М.Л., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С., Юнович А.Э., Богданов А.А., Васильева Е.Д., Николаев Д.А., Феопентов А.В. Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN | 1078 |
| Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Полярный В.О., Чусовитин Е.А., Гутаковский А.К., Латышев А.В., Khang Y. Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si (100) | 1085 |
| Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Рассеяние электронов на захваченных поверхностных полярных оптических фононах в двухбарьерной гетероструктуре | 1093 |
| Solnyshkov D.D., Shelykh I.A., Glazov M.M., Malpuech G., Amand T., Renucci P., Marie X., Kavokin A.V. Nonlinear effects in spin relaxation of cavity polaritons | 1099 |
| Алексеев П.С., Якунин М.В., Яссиевич И.Н. Влияние спин-орбитального взаимодействия на спектр двумерных электронов в магнитном поле | 1110 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Никитенко В.Р., Тютнев А.П. Переходный ток в тонких слоях неупорядоченных органических материалов в режиме неравновесного транспорта носителей заряда | 1118 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Лазарук С.К., Сасинович Д.А., Кацуба П.С., Лабунов В.А., Лешок А.А., Борисенко В.Е. Электролюминесценция наноструктурированного кремния в матрице анодного оксида алюминия | 1126 |
| Лазарук С.К., Долбик А.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах | 1130 |
| Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. Реконструкция зависимостей туннельного тока от напряжения на окисле по динамическим вольт-амперным характеристикам гетероструктур -SiSiO-Si | 1135 |
| Гальчина Н.А., Коган Л.М., Сощин Н.П., Широков С.С., Юнович А.Э. Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе -гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами | 1143 |
| Персоналии | |
| Виктор Ильич Фистуль ( к 80-летию со дня рождения ) | 1149 |