ФТП, 2007, том 41, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электрофизические свойства гетероструктур n-ZnO/p-CuO

Б.М.Верменичев, О.Л.Лисицкий, М.Е.Кумеков, С.Е.Кумеков\kern1pt, Е.И.Теруков\kern1pt*, С.Ж.Токмолдин

Казахский национальный технический университет им. К.И. Сатпаева,
500013 Алматы, Казахстан
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 20 июля 2006 г. Принята к печати 28 июля 2006 г.)

Получена гетероструктура n-ZnO/p-CuO и измерена ее вольт-амперная характеристика. Показано, что в температурную зависимость проводимости гетероструктуры основной вклад вносит слой CuO и собственно гетеропереход n-ZnO/p-CuO.

PACS: 73.40.Lq

 PDF версия (153Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster