ФТП, 2006, том 40, выпуск 2ФТП, 2006, том 40, выпуск 2| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Болотов В.В., Камаев Г.Н., Носков А.В., Черняев С.А., Росликов В.Е. Влияние состояния водорода в решетке на эффективность введения донорных центров в кислородсодержащем кремнии | 129 |
|---|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Комарь В.К., Мигаль В.П., Сулима С.В., Фомин А.С. Устойчивость фотоотклика кристаллов CdZnTe | 133 |
| Ромака В.А., Стаднык Ю.В., Шеляпина М.Г., Фрушарт Д., Чекурин В.Ф., Ромака Л.П., Гореленко Ю.К. Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs | 136 |
| Блецкан Д.И., Мадяр Й.Й., Кабаций В.Н. Влияние отклонения от стехиометрии и легирования на спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe | 142 |
| Парфенюк О.А., Илащук М.И., Уляницкий К.С., Фочук П.М., Стрильчук О.М., Крилюк С.Г., Корбутяк Д.В. Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si | 148 |
| Клевков Ю.В., Мартовицкий В.П., Багаев В.С., Кривобок В.С. Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы | 153 |
| Малевич В.Л. Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в -InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении | 160 |
| Богданова В.А., Давлеткильдеев Н.А., Семиколенова Н.А., Сидоров Е.Н. Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs : Te | 166 |
| Акимов А.Н., Ерков В.Г., Кубарев В.В., Молодцова Е.Л., Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность пленок PbSnTeIn в терагерцовой области спектра | 169 |
| Булатов М.Ф., Пархоменко Ю.Н. Механизмы проводимости магнитных полупроводников со структурой граната в зависимости от концентрации иновалентной примеси | 174 |
| Салий Я.П. Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок -PbSe при облучении -частицами | 177 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний | 180 |
| Исмаилов Х.Х., Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж. Динамика перезарядки дефектов в крупноблочных пленках -CdTe | 185 |
| Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Денисов С.А. Методы легирования слоев кремния в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии | 188 |
| Ждан А.Г., Чучева Г.В., Гольдман Е.И. Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора в кинетике генерации неосновных носителей заряда в структурах металл--диэлектрик--полупроводник | 195 |
| Вербицкий А.Б., Верцимаха Я.И., Луцик П.Н., Студзинский С.Л., Березнев С., Койс Ю. Свойства поверхности CuInS и влияние на них органических слоев | 202 |
| Низкоразмерные системы | |
| Володин В.А., Якимов А.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Никифоров А.И., Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Михалев Г.Ю. Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением | 207 |
| Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Звонков Б.Н., Дашевский З.М., Касиян В.А. Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек | 215 |
| Покутний С.И. Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках | 223 |
| Сибирев Н.В., Талалаев В.Г., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Захаров Н.Д., Werner P. Зонная структура и спектр фотолюминесценции сверхрешетки GeSi/GeSi с вертикально совмещенными квантовыми точками | 230 |
| Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н, Новиков А.В., Шалеев М.В. Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях SiGe/Si (001) | 235 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Берашевич Ю.А., Лазарук С.К., Борисенко В.Е. Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки | 240 |
| Давиденко Н.А., Кокозей В.Н., Давиденко И.И., Нестерова О.В., Шевченко Д.В. Необычные фотоэлектрические свойства полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы переходных металлов | 246 |