ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/PbPc/p-Si

Г.А.Ильчук *, С.Е.Никитин, Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь+, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Национальный университет \glqq Львивська политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 3 июня 2004 г. Принята к печати 9 июня 2004 г.)

Получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PbPc/p-Si. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности в новых структурах. Сделан вывод о перспективах их применения в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.

 PDF версия (117Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster