ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование разрыва зон на гетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения

Л.П.Авакянц, П.Ю.Боков, Т.П.Колмакова*, А.В.Червяков

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет)
119992 Москва, Россия
* ОАО \glqq Оптрон\grqq,
105318 Москва, Россия

(Получена 22 апреля 2004 г. Принята к печати 28 апреля 2004 г.)

Из спектров фотоотражения напряженной короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAs0.6P0.4 определены энергии межзонных переходов с участием подзон размерного квантования. По наблюдаемому сдвигу энергии фундаментального перехода GaAs0.6P0.4 проведен расчет механических деформаций, обусловленных рассогласованием кристаллических решеток слоев GaAs и GaAs0.6P0.4. В рамках модели Кронига-Пенни проведено моделирование положения минизон сверхрешетки в зависимости от величины скачка потенциала на гетерогранице. Сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными показало, что исследованная сверхрешетка относится к контрвариантному типу со слабо локализованными электронами и легкими дырками, при этом величина скачка потенциала на гетерогранице в зоне проводимости составила Delta Ec/Delta Eg=0.15.

 PDF версия (196Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster