17 января 2007 года Леониду Степановичу Смирнову, заслуженному деятелю науки и техники России, лауреату Государственной премии СССР, исполнилось 75 лет. После окончания Ленинградского государственного университета в 1954 г. Л. С. Смирнов получил направление в Физический институт им. П.Н. Лебедева Академии наук СССР (ФИАН), где принял участие в разработке первых в стране транзисторов на основе кремния и германия, солнечных и << атомных>> батарей. Процессы << холодного>> легирования и управления характеристиками кристаллов с применением радиации стали основными направлениями его деятельности. В 1962 г. Л. С. Смирнов входит в состав орготряда по формированию Института физики полупроводников в Академгородке под Новосибирском, где создает первую в институте лабораторию радиационной физики полупроводников, ставшую центром радиационных методов модификации, трансмутационного легирования, ионной имплантации и импульсного термического отжига полупроводников. Успехи лаборатории определились созданием и запуском собственных ускорителей частиц (среди которых знаменитый << Микротрон>>), применением комплекса современных исследовательских методик и удачного сочетания фундаментальных и прикладных проблем. Организованный Л. С. Смирновым ежегодный семинар в Академгородке был длительное время традиционным форумом специалистов науки и промышленности СССР, где в оживленных дискуссиях находились решения спорных вопросов, проверялись идеи, устанавливались контакты, а молодежь набиралась опыта. Под руководством Л. С. Смирнова 36 коллег стали кандидатами физико-математических наук, 8 из них защитили докторские диссертации. Было издано несколько коллективных монографий, обобщающих проведенные исследования. Эти монографии были переизданы также за рубежом, так как идеи и представленные в них результаты опережали во многом достижения иностранных ученых. Высказанные в соавторстве с А. В. Спицыным еще в 1962 г. и разернутые затем представления о том, что неравновесные точечные дефекты подвижны практически при любых температурах, активно вступают в ассоциации с центрами прилипания и аннигиляции, модифицируя дефектно-примесную подсистему кристаллов, легли в основу понимания процессов при радиационных и термических обработках, что заставляет и сегодня корректировать некоторые устоявшиеся модели о квазихимических реакциях дефектов в кристаллах. [!t] Принципиальное значение имели исследования переползания краевых дислокаций при поглощении свободных межузельных атомов. На этой основе родились представления о большой подвижности этих собственных точечных дефектов, о наличии деформационных барьеров для захвата дефектов, о процессах аннигиляции и кластеризации дефектов и роли зарядовых состояний. В работах по ионной имплантации, кроме решения прикладных проблем, обнаружены явления ионно-стимулированного синтеза соединений и рекристаллизации при сверхбольших дозах внедренных атомов. Предложенный совместно с физиками из Казани импульсный отжиг имплантационных слоев как метода управляемого создания метастабильных ситуаций получил широкое применение в технологии твердотельной электроники. Научный коллектив под руководством Л. С. Смирнова трижды признавался ведущей научной школой России. Сегодня Л. С. Смирнов руководит специализированным советом по защитам кандидатских диссертаций и общеинститутским семинаром Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Поздравляем Леонида Степановича со знаменательным юбилеем, благодарим за сотрудничество и желаем ему хорошего здоровья. Коллеги, друзья, ученики. Редколлегия журнала присоединяется к сердечным поздравлениям друзей и учеников Леонида Степановича и со своей стороны желает ему творческого долголетия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.