Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние параллельного слоям магнитного поля на фототок в GaAs/AlAs p-i-n-структурах
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.01.53025.9738 
Государственное задание, № 075-00355-21-00
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия 
Email: vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 16 сентября 2021 г.
Принята к печати: 16 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
Изучено поведение фототока в GaAs/AlAs p-i-n-гетероструктурах в магнитном поле, параллельном гетерослоям в диапазоне длин волн от 395 до 650 нм. Обнаружена сильная зависимость неосциллирующей компоненты фототока от длины волны излучения, связанная с подавлением диффузионного тока магнитным полем. Показано, что поведение осциллирующей составляющей фототока в магнитном поле не зависит от длины волны света и определяется переносом электронов через уровень размерного квантования в треугольной прибарьерной яме. Установлено, что подавление осциллирующей компоненты магнитным полем обусловлено размазкой уровня в треугольной яме за счет движения электронов параллельно стенкам ямы и перпендикулярно магнитному полю. Ключевые слова: гетероструктуры, фотопропроводимость, магнитотуннелирование.
- R.E. Nahory. Phys. Rev., 178, 1293 (1969)
- A.C. Wang, Y.R. Sun, S.Z. Yu, J.J. Yin, W. Zhang, J. Wang, Q.X. Fu, J.R. Dong. Appl. Phys. Lett., 118, 233902 (2021)
- J. Allam, F. Capasso, M.B. Panish, A.L. Hutchinson. Appl. Phys. Lett., 49, 707 (1986)
- M.V. Baranovskiy, G.F. Glinskii. J. Phys.: Conf. Ser., 461, 012039 (2013)
- E.E. Vdovin, M. Ashdown, A. Patane, L. Eaves, R.P. Campion, Yu.N. Khanin, M. Henini, O. Makarovsky. Phys. Rev. B, 89, 205305 (2014)
- Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, О. Макаровский, M. Хенини. Письма ЖЭТФ, 102 (11), 830, (2015)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Wiley, 1981) p. 749
- Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин. Письма ЖЭТФ, 113 (9), 605 (2021)
- M.D. Sturge. Phys. Rev., 129, 2835 (1963)
- W.P. Dumke. Phys. Rev., 132, 1998 (1963)
- М.И. Дьяконов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. ФТП, 11 (7), 1364 (1977)
- P.J. Turley, S.W. Teitsworth. Phys. Rev. B, 50, 8423 (1994)
- И.А. Ларкин. ФТП, 23 (9), 1664 (1989)
- Е.Е. Вдовин, Ю.В. Дубровский, И.А. Ларкин, Ю.Н. Ханин, Т. Андерссон. Письма ЖЭТФ, 61 (7), 566 (1995)
- M.L. Leadbeater, E.S. Alves, L. Eaves, M. Henini, O.H. Hughes, A. Celeste, J.C. Portal, G. Hill, M.A. Pate. J. Phys.: Condens. Matter, 1, 4865 (1989)
- А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 59, 880 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
