Дано обобщение теории взаимодействия моноэнергетического потока инжектируемых электронов с сильным высокочастотным электрическим полем в резонансно-туннельных диодных структурах (РТД) с несимметричными барьерами конечной высоты и ширины. В квазиклассическом приближении найдены волновые функции и функция туннелирования электронов в квантовой яме и барьерах. Получены аналитические выражения для токов поляризации в РТД как в общем случае, так и в ряде предельных случаев. Показано, что в РТД с несимметричными барьерами токи поляризации и мощность излучения сильно зависят от соотношения вероятностей туннелирования электронов через эмиттерный и коллекторный барьеры. В квантовом режиме, когда delta=varepsilon-varepsilon_r=homega>>Gamma (varepsilon - энергия инжектируемых в РТД электронов, h - постоянная Планка, omega - частота переменного поля; varepsilon_r и Gamma - соответственно энергия и ширина резонансного уровня), активный ток поляризации достигает в поле E~2.8homega/ea (e - заряд электрона, a - ширина квантовой ямы) максимального значения, равного по абсолютной величине 84% от постоянного резонансного тока, если вероятность туннелирования электронов через эмиттерный барьер много больше вероятности туннелирования через коллекторный барьер. Мощность генерации излучения на частотах omega=10¹²-10¹³ с^-1 может достигать в этом случае 10⁵-10⁶ Вт/см².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.