Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50088.9162

Переводная версия: 10.1134/S1063782620110263

Умирзаков Б.Е.¹, Ташмухамедова Д.А.¹, Ташатов А.К.², Мустафоева Н.М.², Муродкабилов Д.М.¹

¹Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan

²Каршинский государственный университет, Карши, Узбекистан Karshi State University, Karshi, Uzbekistan

Email: ftmet@mail.ru

Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.

В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.

Принята к печати: 20 июля 2020 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны E_g монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar⁺. Показано, что значение d при энергиях ионов E₀=1 и 2 кэВ составляет ~(100-120) и ~(150-160) Angstrem соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до K= 55-60%, а значение E_g увеличивается на ~10%. При бомбардировке ионами Ni⁺ разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого K уменьшается до 5-10%. После прогрева при T=900 K формируются нанокристаллы (при дозах D≤10¹⁵ см^-2) и нанопленки NiSi₂ (D=6·10¹⁶ см^-2). Ключевые слова: ионная бомбардировка Si, электронные свойства, оптические свойства, тонкие слои, отжиг.

S. Schuppler, S.L. Friedman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, T.D. Harris, W.L. Brown, Y.J. Chabal, L.E. Brus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 72, 2648 (1994)
S. Horiguchi, M. Nagase, K. Shiraishi, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Murase. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L29 (2001). https://doi.org/10.1143/JJAP.40.L29
S.H. Tolbert, A.B. Herhold, L.E. Brus, A.P. Alivisatos. Phys. Rev. Lett., 76, 4384 (1996)
L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
K. Masuko, M. Shigematsu, T. Hashiguchi, D. Fujishima, M. Kai, N. Yoshimura, T. Yamaguchi, Y. Ichihashi, T. Mishima, N. Matsubara, T. Yamanishi, T. Takahama, M. Taguchi, E. Maruyama, S. Okamoto. IEEE J. Photovoltaics, 4 (6), 1433 (2014)
X. Li, S. He, S.S. Talukdar. Langmuir, 19, 8490 (2003)
A. Puzder, A.J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli. Phys. Rev. Lett., 88 (9), 097401 (2002)
М.С. Браслер, О.В. Гусев, Е.И. Теруков, A. Froitzheim, W. Fuhs. ФТТ, 46, 18 (2004)
C. Buerhop, S. Wirsching, S. Gehre, T. Pickel, T. Winkler, A. Bemm, J. Mergheim, C. Camus, J. Hauch, C.J. Brabec. Proc. 2017 IEEE 44th Photovoltaic Spec. Conf., p. 3500
P. Procel, G. Yang, O. Isabella, M. Zeman. Solar Energy Mater. Solar Cells, 186, 66 (2018)
И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, И.А. Андрющенко. ФТП, 40 (3), 319 (2006)
M.W. Ullah, A. Kuronen, K. Nordlund, F. Djurabekova, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, A.I. Titov. J. Appl. Phys., 114, 183511 (2013)
B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, E.U. Boltaev, A.A. Dzhurakhalov. Mater. Sci. Eng. B, 101, 124 (2003)
S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. Phys. Status Solidi C, 12 (1--2), 89 (2015). DOI 10.1002/pssc.201400156
B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, M.K. Ruzibaeva, F.G. Djurabekova, S.B. Danaev. NIMB, 326, 322 (2014)
Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Г.Х. Аллаярова, Ж.Ш. Содикжанов. Письма ЖТФ, 45 (7), 49 (2019). [Techn. Phys. Lett., 45 (4), 356 (2019)]
П.Г. Петросян, Л.Н. Григорян. ЖТФ, 87 (3), 443 (2017)
Д.М. Седракян, П.Г. Петросян, Л.Н. Григорян. ЖТФ, 85 (5), 94 (2015)
И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия (М., Наука, 1969) с. 170-175, 244-246

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель