Проведены экспериментальные исследования изотипных гетероструктур типа n^+-GaAs/n^0-GaAs/n^+-GaAs с широкозонным барьером N^0-AlGaAs толщиной 100 нм, расположенным в n^0-GaAs-области. Показано, что вольт-амперные характеристики исследуемых структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления, при этом переход в данную область происходит с задержкой по времени, которая может достигать десятков нс. Установлено, что работа в области отрицательного дифференциального сопротивления связана с включением процесса ударной ионизации. Численный анализ в рамках модели энергетического баланса показал, что переход в область отрицательного дифференциального сопротивления связан с формированием домена электрического поля, захватывающего часть слабо легированной области между тонким широкозонным барьером N^0-AlGaAs и сильно легированным слоем n^+-GaAs и включением ударной ионизации на границе с указанным сильно легированным слоем n^+-GaAs. Сравнительный анализ экспериментальных данных и результатов моделирования показал, что для корректного описания вольт-амперных характеристик исследуемых гетероструктур в модели необходимо учесть менее выраженную способность гетероперехода ограничивать транспорт носителей в барьерном слое. Ключевые слова: изотипная гетероструктура, модель энергетического баланса, AlGaAs/GaAs, ударная ионизация, транспорт в гетероструктурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.