Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур n+-Ge/p+-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
Переводная версия: 10.1134/S1063782619090203 
Министерство образования и науки РФ , 16.7443.2017/БЧ
Российский научный фонд, 18-72-10061
Шенгуров В.Г.
1, Филатов Д.О.
1, Денисов С.А.
1, Чалков В.Ю.
1, Алябина Н.А.1, Зайцев А.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: shengurov@phys.unn.ru, Dmitry_filatov@inbox.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Методом разложения GeH4 на горячей проволоке при низкой температуре подложки (~325oC) получены эпитаксиальные структуры n+-Ge/p+-Si(001), на основе которых сформированы лабораторные макеты туннельных диодов, допускающих монолитную интеграцию в интегральные схемы на основе Si. Легирование слоeв n+-Ge донорной примесью (P) до концентраций >1·1019 см-3 осуществлялось с применением термического разложения GaP. На вольт-амперных характеристиках туннельных диодов наблюдались выраженные участки отрицательного дифференциального сопротивления. Ключевые слова: туннельный диод, структуры Ge/Si, метод горячей проволоки.
- М.С. Гусятинер, А.И. Горбачев. Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды (М., Радио и связь, 1983)
- P. Geicksman, R.M. Minton. Solid-State Electron., 8, 517 (1965)
- V.M. Franks, K.F. Hulme, J.R. Morgan. Solid-State Electron., 8, 343 (1965)
- E. Kasper, J.C. Bean. Silicon Molecular Beam Epitaxy (Wilheim, CRC Press, 1988)
- C. Mukherjee, H. Seitz, B. Schroeder. Appl. Phys. Lett., 78, 3457 (2001)
- S.A. Matveev, S.A. Denisov, D.V. Guseinov, V.N. Trushin, A.V. Nezhdanov, D.O. Filatov, V.G. Shengurov. J. Phys. Conf. Ser., 541, 012026 (2014)
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Н.А. Алябина, Д.В. Гусейнов, В.Н. Трушин, А.П. Горшков, Н.С. Волкова, М.М. Иванова, А.В. Круглов, Д.О. Филатов. ФТП, 49, 1411 (2015)
- В.А. Толомасов, Л.Н. Абросимова, Т.Н. Сергиевская, Т.М. Зотова. Кристаллография, 18, 884 (1973)
- К. Хилсум, А. Роуз-Инс. Полупроводники типа AIIIBV (М., Изд-во иностр. лит., 1963) с. 123
- В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
- В.А. Толомасов, В.В. Васькин, М.И. Овсянников. ФТП, 15, 104 (1981)
- M.J. Mondry, E.J. Caine, H. Kroemer. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 316 (1985)
- K. Nishida, X. Xu, K. Sawano, T. Maruizumi, Y. Shiraki. Thin Sol. Films, 557, 66 (2014)
- T.K.P. Luong. Opt. Photon. J., 7, 75 (2017)
- В.Г. Шенгуров, Д.О. Филатов, С.А. Денисов, В.Ю. Чалков, Н.А. Алябина, А.В. Зайцев, М.Н. Дроздов. Матер. ХXIII междунар. симп. Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2019) (в печати)
- N. Ohtani, S. Mokler, M.H. Xie, J. Zhang, B.A. Joyce. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (1), 2311 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
