Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 10 » Статья стр. 1145
<<<>>>
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO2: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46454.8859
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100020
Белолипецкий А.В.1, Нестоклон М.О.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a_belolipetskiy@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
PDF версия
Изучен вопрос оптимального выбора параметров эмпирического метода сильной связи для моделирования уровней размерного квантования кремниевых нанокристаллов, внедренных в аморфную матрицу SiO2. Для учета туннелирования из нанокристаллов в SiO2 аморфная матрица рассматривалась как виртуальный кристалл с зонной структурой, подобной зонной структуре beta-кристобалита SiO2, согласованный по величине постоянной решетки с объемным кремнием. В широком энергетическом интервале вычислены распределения электронной плотности в k-пространстве для электронов и дырок, размерно-квантованных в кремниевом нанокристалле в SiO2, что позволяет наглядно увидеть возможность существования эффективных прямых оптических переходов для "горячих" электронов на верхних уровнях размерного квантования.
  1. L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo. Nature, 408, 440 (2000)
  2. O. Boyraz, B. Jalali. Opt. Express, 12 (21), 5269 (2004)
  3. F. Priolo, T. Gregorkiewicz, T. Galli et al. Nature Nanotechnology, 9, 19 (2014)
  4. D. Timmerman, I. Izeddin, P. Stallinga, I.N. Yassievich, T. Gregorkiewicz. Nature Photonics, 2, 105 (2008)
  5. E. de Jong, S. Saeed, W. Sinke, T. Gregorkiewicz. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 135, 67 (2015)
  6. S. Saeed, E.M.L.D. de Jong, K. Dohnalova, T. Gregorkiewicz. Nature Commun., 5, 4665 (2014)
  7. M. Schnabel, C. Weiss, P. Loper, P.R. Wilshaw, S. Janz. Phys. Status Solidi A, 212 (8), 1649 (2015)
  8. J.-H. Park, L. Gu, G. von Maltzahn, E. Ruoslahti, S.N. Bhatia, M.J. Sailor. Nature Mater., 8, 331 (2009)
  9. K. Seino, F. Bechstedt, P. Kroll. Phys. Rev. B, 82, 085320 (2010)
  10. I. Marri, M. Govoni, S. Ossicini. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 145, pt 2, 162 (2016)
  11. J.-M. Jancu, R. Scholz, F. Beltram, F. Bassani. Phys. Rev. B, 57 (11), 6493 (1998)
  12. А.В. Герт, М.О. Нестоклон, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 51 (10), 1325 (2017)
  13. M.O. Nestoklon, A.N. Poddubny, P. Voisin, K. Dohnalova. J. Phys. Chem. C, 120 (33), 18901 (2016)
  14. T.B. Boykin, G. Klimeck, F. Oyafuso. Phys. Rev. B, 69, 115201 (2004)
  15. Y.M. Niquet, D. Rideau, C. Tavernier, H. Jaouen, X. Blase. Phys. Rev. B, 79, 245201 (2009)
  16. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, N. Y., 1981)
  17. Y. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 44 (20), 11048 (1991)
  18. M. Ribeiro, L.R.C. Fonseca, L.G. Ferreira. Phys. Rev. B, 79, 241312(R) (2009)
  19. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 84, 2457 (2000)
  20. A.S. Moskalenko, J. Berakdar, A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 76, 085427 (2007)
  21. M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
  22. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62 (24), 16820 (2000)
  23. W.D.A.M. de Boer, D. Timmerman, K. Dohnalova, I.N. Yassievich, H. Zhang, W.J. Buma, T. Gregorkiewicz. Nature Nanotechnology, 5 (28), 878 (2010)
  24. S. Furukawa, T. Miyasatoo. Phys. Rev. B, 38 (8), 5726 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme