Тонкие пленки SnO₂, стабилизированные Zr, были получены ионно-лучевым реактивным распылением. В одном технологическом процессе были синтезированы аморфные тонкопленочные образцы SnO₂ с различной концентрацией Zr. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. В тонкопленочных системах Sn-Zr-O начало процесса кристаллизации наблюдается при температурах 673 и 773 K, что сопровождается появлением метастабильных фаз. При нагреве до 873 K эти фазы преобразуются в Sn + Sn₂O₃. Было обнаружено,что после кристаллизации пленок процесс электропереноса при температурах, близких к комнатной, является термоактивационным с энергией активации ~ 0.78 эВ. Пленки оксида олова, легированные Zr от 0.6 до 3.9 ат%, после кристаллизации проявляют свойства газовой чувствительности к водороду.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.