Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060027 
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
Разработана количественная модель накопления зарядов в подзатворном диэлектрике при туннельной инжекции электронов из затвора по механизму Фаулера-Нордгейма. В модели учитывается захват электронов и дырок на безводородные и водородосодержащие ловушки, а также генерация поверхностных состояний при взаимодействии дырок с водородосодержащими центрами. На основе модели проанализированы экспериментальные зависимости сдвигов порогового напряжения и напряжения на затворе n- и p-канальных МОП-транзисторов от инжектируемого заряда в режиме постоянного тока.
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
- О.В. Александров. ФТП, 51 (8), 1105 (2017)
- F.J. Feigl, D.R. Young, D.J. DiMaria, S. Lai, J. Calise. J. Appl. Phys., 52, 5665 (1981)
- А.М. Емельянов. ФТП, 52, 1060 (2010)
- Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 54, 5793 (1983)
- N. Klein, P. Solomon. J. Appl. Phys., 47, 4364 (1976)
- Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 58, 2252 (1985)
- C.-F. Chen, C.-Y. Wu. J. Appl. Phys., 60, 3926 (1986)
- P. Fazan, M. Dutoit, C. Martin, M. Ilegems. Sol. St. Electron., 30, 829 (1987)
- P. Samanta, C.K. Sarkar. J. Appl. Phys., 83, 2662 (1998)
- M. Knoll, D. Braunig, W.R. Fahrner. J. Appl. Phys., 53, 6946 (1982)
- В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Г.Г. Бондаренко, А.А. Столяров, В.А. Шахнов. Микроэлектроника, 26 (6), 440 (1997)
- V.V. Afanas'ev, G.J. Adriaenssens, A. Stesmans. Microelectron. Eng., 59, 85 (2001)
- M.V. Fischetti. Phys. Rev. B, 31, 2099 (1985)
- D. J. DiMaria, E. Cartier, D.A.Buchanan. J. Appl. Phys., 80, 304 (1996)
- S.K. Lai. Appl. Phys. Lett., 39, 58 (1981)
- D. J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993)
- Q.D.M. Khosru, N. Yasuda, K. Taniguchi, C. Hamaguchi. J. Appl. Phys., 77, 4494 (1995)
- Г.В. Гадияк. ФТП, 31, 257 (1997)
- A.V. Schwerin, M. M. Heyns, W. Weber. J. Appl. Phys., 67, 7595 (1990)
- D.A. Buchanan, D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 67, 7439 (1990)
- M. Lenzlinger, E.H. Snow. J. Appl. Phys., 40, 278 (1969)
- P. Samanta, C.K. Sarkar. Sol. St. Electron., 46, 279 (2002)
- О.В. Александров. ФТП, 48, 523 (2014). ФТП, 49, 793 (2015)
- E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63, 1510 (1993)
- X. Gao, S.S. Yee. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 1819 (1994)
- Q.D.M. Khosru, N. Yasuda, K. Taniguchi, C. Hamaguchi. J. Appl. Phys., 76, 4738 (1994)
- L. Do Thanh, M. Aslam, P. Balk. Sol. St. Electron., 29, 829 (1986)
- R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34 (6), 1196 (1987)
- J.J. Tzou, J.Y.-C. Sun, C.-T. Sah. Appl. Phys. Lett., 43, 861 (1983)
- H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. Mc Garrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1191 (1986)
- I.P. Mikhailovskii, P.B. Potapov, A.E. Epov. Phys. Status Solidi A, 94, 679 (1986)
- В.С. Солдатов, Н.В. Соболев, И.Б. Варлашов, В.А. Коляда, А.Г. Воеводин. Изв. вузов. Физика, N 12, 82 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
